Les adaptateurs secteur Delta tirent parti de la puce EcoGaN
Le circuit intégré d'étage de puissance EcoGaN de Rohm a été intégré aux adaptateurs secteur compacts de Delta destinés aux ordinateurs portables de gaming de MSI afin d'optimiser leur efficacité énergétique.
www.rohm.com
Conçu par Delta Electronics, l’adaptateur secteur intègre le circuit intégré d’étage de puissance EcoGaN™ « BM3G005MUV-LB » de Rohm, qui se distingue par une vitesse de commutation élevée et une faible résistance à l’état passant. Associée à l’expertise de Delta en matière de conception d’alimentations et à ses avancées technologiques en matière de gestion de l’énergie, cette collaboration permet une réduction notable de la taille et des économies d’énergie par rapport aux adaptateurs conventionnels.
Grâce à l'intégration du circuit intégré EcoGaN™, les adaptateurs secteur Delta conçus pour les produits MSI peuvent fournir une puissance de sortie élevée et maintenir la puissance requise pendant un certain temps. Cela garantit la stabilité de l’alimentation, même dans des conditions de charge élevée typiques des environnements de jeu exigeant des performances élevées.
Les ordinateurs portables de jeu continuent d’évoluer en intégrant des GPU et des CPU de plus en plus puissants. Cependant, leur consommation d’énergie a elle aussi augmenté. Cette tendance nécessite des adaptateurs secteur capables de fournir la puissance requise tout en répondant aux attentes des utilisateurs en matière de portabilité grâce à la miniaturisation.
Les semiconducteurs GaN se distinguent par leur faible résistance à l’état passant et leurs propriétés de commutation à haute vitesse. Ils sont appréciés pour leur capacité à optimiser l’efficacité des systèmes d’alimentation électrique et à diminuer la taille des composants périphériques tels que les inducteurs. Le circuit intégré de l’étage de puissance de Rohm contient un HEMT au GaN de 650V, un pilote de grille, des fonctions de protection et des composants périphériques dans un seul boîtier. Cela permet de maximiser les performances du HEMT en GaN simplement en remplaçant les MOSFET conventionnels au silicium.
Circuits intégrés d’étage de puissance à HEMT au GaN
Les circuits intégrés d’étage de puissance à HEMT au GaN de Rohm constituent une solution pour tous les systèmes électroniques qui nécessitent une forte densité de puissance et une efficacité élevée. Un HEMT au GaN et un Gate Driver optimisé pour maximiser les performances du HEMT au GaN sont combinés dans un seul boîtier. Grâce à sa plage de tension d’entrée allant de 2,5V à 30V, il peut s’associer à n’importe quel circuit intégré de contrôleur. Ce circuit intégré est conçu pour s’adapter aux principaux contrôleurs existants. Ce qui lui permet également de remplacer les interrupteurs d’alimentation discrets traditionnels, tels que le MOSFET à super-jonction.
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