Le commutateur de charge Mosfet à canal N conforme aux normes automobiles de Diodes se distingue notamment par sa résistance à l'état passant drain-source maximale (RDS(ON)) d'à peine 8 mΩ.
Infineon Technologies et Siemens ont annoncé un partenariat visant à faire évoluer les systèmes de protection électrique pour les centres de données, les infrastructures de production et les unités de stockage par batterie.
Onsemi propose des transistors à effet de champ en nitrure de gallium leur pemettant d'opérer à des fréquences de commutation élevées tout en minimisant les pertes de commutation parasites.
Microchip augmente la capacité de gestion de sa plateforme logicielle de synchronisation de réseau qui peut désormais prendre en charge jusqu’à 5 000 éléments réseau.
Toshiba lance une série de Mosfet de puissance à canal N de 40 volts utilisant un boîtier sans plots internes afin d’améliorer l’efficacité des semi-conducteurs automobiles.
Kontron propose une carte GPU VPX 3U disposant de capacités graphiques et de traitements de données répondant aux exigences des applications de la défense et de l'aérospatiale.
Mitsubishi et Semikron Danfoss Elektronik ont développé un nouveau boîtier standard pour les modules de semi-conducteurs de puissance dotés de circuits intégrés à 3 niveaux.