Diodes Incorporated a conçu un semi-conducteur à faible résistance pour gérer avec précision la distribution de tension des sous-systèmes, minimisant ainsi la production thermique lors du fonctionnement du véhicule à courant élevé.
Infineon Technologies et Siemens ont annoncé un partenariat visant à faire évoluer les systèmes de protection électrique pour les centres de données, les infrastructures de production et les unités de stockage par batterie.
Onsemi propose des transistors à effet de champ en nitrure de gallium leur pemettant d'opérer à des fréquences de commutation élevées tout en minimisant les pertes de commutation parasites.
Microchip augmente la capacité de gestion de sa plateforme logicielle de synchronisation de réseau qui peut désormais prendre en charge jusqu’à 5 000 éléments réseau.
Toshiba lance une série de Mosfet de puissance à canal N de 40 volts utilisant un boîtier sans plots internes afin d’améliorer l’efficacité des semi-conducteurs automobiles.
Kontron propose une carte GPU VPX 3U disposant de capacités graphiques et de traitements de données répondant aux exigences des applications de la défense et de l'aérospatiale.
Mitsubishi et Semikron Danfoss Elektronik ont développé un nouveau boîtier standard pour les modules de semi-conducteurs de puissance dotés de circuits intégrés à 3 niveaux.
Rohm a développé une architecture de boîtier pour montage en surface pour les Mosfet en carbure de silicium (SiC) qui vise à maximiser la dissipation thermique et l'isolation haute tension dans les systèmes de conversion de puissance.