Les atouts des commutateurs à magnétorésistance à effet tunnel
Littelfuse explique pourquoi les commutateurs à magnétorésistance à effet tunnel (TMR pour Tunnel Magneto Resistive) conviennent à la conception d’une variété d’appareils électroniques.
www.littelfuse.com
1. Quels sont les avantages des commutateurs TMR par rapport aux capteurs à effet Hall ?
Les commutateurs à magnétorésistance à effet tunnel (TMR) fournissent une détection magnétique plus performante avec une consommation bien plus faible que les capteurs à effet Hall. Cette combinaison permet de prolonger la durée de vie des batteries tout en garantissant une performance de détection fiable dans les compteurs et appareils électroniques en fonctionnement continu.
2. Quelle est la différence entre les commutateurs TMR omnipolaires et bipolaires ?
Les commutateurs omnipolaires répondent à l’un des pôles magnétiques, simplifient l’alignement et offrent une plus grande flexibilité en matière de conception. Les commutateurs bipolaires s’activent avec l’un des deux pôles et se réinitialisent avec le pôle opposé, déclenchant une détection directionnelle ou rotative précise.
3. Pourquoi ces commutateurs sont-ils adaptés aux appareils IoT et aux dispositifs alimentés par batterie ?
Leur très faible consommation électrique - seulement 200 nA pour la version omnipolaire (LF21112TMR) et 1,5 µA pour le modèle bipolaire (LF11215TMR) - en fait des solutions adaptées pour les applications sensibles à l’énergie. L’intégration de la technologie CMOS permet de maintenir une haute réactivité tout en prolongeant la durée de vie du produit pour les appareils IoT, capteurs et autres compteurs.
4. Quelles applications tirent davantage parti des commutateurs TMR omnipolaires et bipolaires ?
Ces commutateurs sont adaptés pour les appareils opérant sur batterie dans des espaces restreints, tels que les compteurs domestiques intelligents, les dispositifs IoT ainsi que les systèmes d’automatisation. Leur boîtier compact (SOT23-3), une plage de tension allant de 1,8 à 5,0 V et leur immunité magnétique facilitent leur intégration dans des équipements électroniques modernes.
5. Ces commutateurs TMR peuvent-ils remplacer les capteurs à effet Hall dans les dispositifs existants ?
Les deux modèles peuvent généralement être installés dans des circuits de commutation à effet Hall existants sans grands changements au niveau de la conception. La sortie push-pull CMOS et l’empreinte standard du SOT23-3 simplifient le remplacement. La plage de tension couverte et la détection optimisée permettent d’augmenter la performance tout en réduisant la consommation d’énergie. La direction d’activation TMR se situe sur l’axe « X », alors que pour l’effet Hall elle se trouve sur l’axe « Z ».
www.littelfuse.com
