Des MOSFET SiC compacts offrent des performances thermiques et de puissance supérieures
ROHM présente des MOSFET SiC à faible profil en boîtier TOLL, conçus pour améliorer l’efficacité thermique et la densité de puissance dans les systèmes industriels et énergétiques compacts.
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Comment les systèmes industriels et énergétiques compacts bénéficient des MOSFET SiC haute efficacité en boîtier TOLL
Les systèmes d’alimentation avancés, tels que les serveurs d’IA, les plateformes de stockage d’énergie et les onduleurs photovoltaïques compacts, nécessitent de plus en plus des composants capables de supporter une densité de puissance plus élevée tout en permettant des conceptions plus petites et à faible hauteur. Avec l’augmentation des besoins en puissance — en particulier dans les architectures PFC totem-pole ultra fines, où l’épaisseur des semi-conducteurs doit rester inférieure à 4 mm — les développeurs doivent combiner une forte capacité de gestion de puissance avec une résistance thermique réduite et une empreinte au sol minimale.
Amélioration des performances thermiques et réduction du format
Pour répondre à ces exigences, ROHM a lancé la production de masse de sa série de MOSFET SiC SCT40xxDLL en boîtier TOLL (TO-Leadless). Par rapport aux dispositifs TO-263-7L présentant des valeurs similaires de tension nominale et de résistance à l’état passant, le nouveau boîtier offre une amélioration thermique d’environ 39 %. Cette performance permet un fonctionnement stable à haute puissance dans des applications où l’évacuation thermique limite l’efficacité du système, soutenant ainsi des conceptions à densité de puissance plus élevée sans augmenter la hauteur du composant.
La structure TOLL réduit également l’empreinte d’environ 26 % et atteint une hauteur de seulement 2,3 mm, soit près de la moitié de celle des boîtiers classiques. Ces caractéristiques rendent la série particulièrement adaptée aux alimentations serveur compactes, aux systèmes ESS et aux équipements d’électronique de puissance soumis à des contraintes d’espace, où l’encombrement vertical et la surface PCB sont critiques.
Capacité de tension supérieure pour des performances plus robustes
Contrairement à de nombreux composants en boîtier TOLL limités à 650 V, la série ROHM prend en charge des tensions drain-source allant jusqu’à 750 V. Cette marge de tension accrue permet d’utiliser une résistance de grille plus faible, améliore la gestion des surtensions et réduit les pertes de commutation. Ces avantages électriques sont particulièrement importants dans les architectures haute efficacité et haute fréquence utilisées dans les alimentations serveur à forte densité énergétique et les convertisseurs d’énergie renouvelable de nouvelle génération.
Disponibilité et support à la conception
La gamme comprend six modèles avec des résistances à l’état passant allant de 13 mΩ à 65 mΩ, la production de masse ayant débuté en septembre 2025. Les dispositifs sont disponibles auprès de distributeurs majeurs tels que DigiKey, Mouser et Farnell. ROHM propose également des modèles de simulation pour l’ensemble des six produits sur son site officiel, facilitant l’évaluation rapide lors du développement de circuits.
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