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Top de départ pour la production à grande échelle d'une plateforme photonique sur silicium
ST a lancé la production à grande échelle de sa plateforme de photonique sur silicium, conçue pour les émetteurs-récepteurs optiques utilisés dans les centres de données hyperscale et les clusters d’IA.
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Les centres de données, les plateformes de cloud computing et les infrastructures d’intelligence artificielle (IA) dépendent de plus en plus de technologies d’interconnexion optique à haute vitesse pour gérer l’augmentation du trafic de données entre les processeurs, les systèmes de stockage et les équipements de réseau. STMicroelectronics a lancé la production à grande échelle de sa plateforme de photonique sur silicium, PIC100, conçue pour les émetteurs-récepteurs optiques utilisés dans les centres de données hyperscale et les clusters d’IA. La plateforme prend en charge des modules optiques de 800 Gb/s et 1,6 Tb/s, répondant aux exigences de bande passante et de latence des charges de travail d’IA à grande échelle.
Plateforme de photonique sur silicium pour les infrastructures d’IA à haute bande passante
La plateforme PIC100 est fabriquée sur des lignes de production de semi-conducteurs de 300 mm, permettant une fabrication à grande échelle adaptée aux fournisseurs de cloud hyperscale. La photonique sur silicium intègre des composants optiques tels que des guides d’onde, des modulateurs et des photodiodes directement sur des substrats semi-conducteurs, permettant d’intégrer des liaisons de communication optique dans le matériel de mise en réseau des centres de données.
Selon STMicroelectronics, la plateforme PIC100 offre des améliorations des performances optiques grâce à des structures de guides d’onde à faible perte et à des composants photoniques optimisés. Les pertes de guides d’onde rapportées sont aussi faibles que 0,4 dB/cm pour le silicium et 0,5 dB/cm pour le nitrure de silicium, ce qui contribue à une transmission efficace du signal optique à travers les circuits intégrés photoniques. La plateforme intègre également des modulateurs avancés, des photodiodes et des technologies de couplage en bordure conçues pour améliorer les performances des liaisons optiques et l’intégration dans des modules émetteurs-récepteurs à haute vitesse.
Ces caractéristiques sont pertinentes pour les clusters d’IA, les systèmes de calcul haute performance et les centres de données cloud hyperscale, où les interconnexions optiques doivent prendre en charge un échange rapide de données entre les GPU, les CPU et les réseaux de stockage.
Extension de la capacité pour soutenir la demande croissante d’interconnexions optiques
La demande pour les émetteurs-récepteurs optiques à haute vitesse continue de croître à mesure que les charges de travail d’IA augmentent. Les analystes de marché estiment que le marché des optiques enfichables pour centres de données a atteint environ 15,5 milliards de dollars en 2025, avec une croissance prévue à plus de 34 milliards de dollars d’ici 2030, représentant un taux de croissance annuel composé (CAGR) d’environ 17 %. Au cours de la même période, la part des émetteurs-récepteurs utilisant des modulateurs de photonique sur silicium devrait augmenter de manière significative.
Pour soutenir cette croissance, STMicroelectronics prévoit de quadrupler la capacité de production de la plateforme PIC100 d’ici 2027, soutenue par des engagements d’approvisionnement à long terme de clients hyperscale. L’utilisation de lignes de fabrication de 300 mm permet à l’entreprise d’augmenter la production tout en maintenant une qualité de fabrication constante et une stabilité d’approvisionnement pour les déploiements de grands centres de données.
La feuille de route introduit l’intégration photonique Through-Silicon Via
Parallèlement à la production actuelle, STMicroelectronics développe la prochaine génération de sa technologie de photonique sur silicium : PIC100 TSV, une plateforme intégrant la technologie through-silicon via (TSV).
La technologie TSV permet des connexions électriques verticales à travers le substrat de silicium, permettant une densité d’interconnexion plus élevée et une intégration plus compacte entre les composants photoniques et électroniques. La plateforme PIC100 TSV est destinée à prendre en charge les futures architectures Near Packaged Optics (NPO) et co-packaged optics (CPO), qui placent les interfaces optiques plus près des processeurs haute performance afin de réduire la consommation d’énergie et la latence dans les systèmes de calcul d’IA.
Cette approche répond à l’une des limites émergentes des infrastructures d’IA, où la bande passante des interconnexions électriques et l’efficacité énergétique peuvent devenir des contraintes à mesure que les clusters informatiques se développent.
Démonstrations de photonique sur silicium à l’OFC 2026
STMicroelectronics présentera ses développements en photonique sur silicium lors de l’Optical Fiber Communication Conference (OFC 2026), qui se tiendra du 15 au 19 mars à Los Angeles, aux États-Unis. L’entreprise présentera sa feuille de route technologique et démontrera un émetteur-récepteur en photonique sur silicium 1.6T-DR8 développé en collaboration avec Sicoya.
www.st.com
Edité avec l'assistance de l'IA par Natania Lyngdoh, journaliste du secteur industriel.
Plateforme de photonique sur silicium pour les infrastructures d’IA à haute bande passante
La plateforme PIC100 est fabriquée sur des lignes de production de semi-conducteurs de 300 mm, permettant une fabrication à grande échelle adaptée aux fournisseurs de cloud hyperscale. La photonique sur silicium intègre des composants optiques tels que des guides d’onde, des modulateurs et des photodiodes directement sur des substrats semi-conducteurs, permettant d’intégrer des liaisons de communication optique dans le matériel de mise en réseau des centres de données.
Selon STMicroelectronics, la plateforme PIC100 offre des améliorations des performances optiques grâce à des structures de guides d’onde à faible perte et à des composants photoniques optimisés. Les pertes de guides d’onde rapportées sont aussi faibles que 0,4 dB/cm pour le silicium et 0,5 dB/cm pour le nitrure de silicium, ce qui contribue à une transmission efficace du signal optique à travers les circuits intégrés photoniques. La plateforme intègre également des modulateurs avancés, des photodiodes et des technologies de couplage en bordure conçues pour améliorer les performances des liaisons optiques et l’intégration dans des modules émetteurs-récepteurs à haute vitesse.
Ces caractéristiques sont pertinentes pour les clusters d’IA, les systèmes de calcul haute performance et les centres de données cloud hyperscale, où les interconnexions optiques doivent prendre en charge un échange rapide de données entre les GPU, les CPU et les réseaux de stockage.
Extension de la capacité pour soutenir la demande croissante d’interconnexions optiques
La demande pour les émetteurs-récepteurs optiques à haute vitesse continue de croître à mesure que les charges de travail d’IA augmentent. Les analystes de marché estiment que le marché des optiques enfichables pour centres de données a atteint environ 15,5 milliards de dollars en 2025, avec une croissance prévue à plus de 34 milliards de dollars d’ici 2030, représentant un taux de croissance annuel composé (CAGR) d’environ 17 %. Au cours de la même période, la part des émetteurs-récepteurs utilisant des modulateurs de photonique sur silicium devrait augmenter de manière significative.
Pour soutenir cette croissance, STMicroelectronics prévoit de quadrupler la capacité de production de la plateforme PIC100 d’ici 2027, soutenue par des engagements d’approvisionnement à long terme de clients hyperscale. L’utilisation de lignes de fabrication de 300 mm permet à l’entreprise d’augmenter la production tout en maintenant une qualité de fabrication constante et une stabilité d’approvisionnement pour les déploiements de grands centres de données.
La feuille de route introduit l’intégration photonique Through-Silicon Via
Parallèlement à la production actuelle, STMicroelectronics développe la prochaine génération de sa technologie de photonique sur silicium : PIC100 TSV, une plateforme intégrant la technologie through-silicon via (TSV).
La technologie TSV permet des connexions électriques verticales à travers le substrat de silicium, permettant une densité d’interconnexion plus élevée et une intégration plus compacte entre les composants photoniques et électroniques. La plateforme PIC100 TSV est destinée à prendre en charge les futures architectures Near Packaged Optics (NPO) et co-packaged optics (CPO), qui placent les interfaces optiques plus près des processeurs haute performance afin de réduire la consommation d’énergie et la latence dans les systèmes de calcul d’IA.
Cette approche répond à l’une des limites émergentes des infrastructures d’IA, où la bande passante des interconnexions électriques et l’efficacité énergétique peuvent devenir des contraintes à mesure que les clusters informatiques se développent.
Démonstrations de photonique sur silicium à l’OFC 2026
STMicroelectronics présentera ses développements en photonique sur silicium lors de l’Optical Fiber Communication Conference (OFC 2026), qui se tiendra du 15 au 19 mars à Los Angeles, aux États-Unis. L’entreprise présentera sa feuille de route technologique et démontrera un émetteur-récepteur en photonique sur silicium 1.6T-DR8 développé en collaboration avec Sicoya.
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Edité avec l'assistance de l'IA par Natania Lyngdoh, journaliste du secteur industriel.
