Les Mosfet visent les systèmes automobiles en 48 V

Le choix des semi-conducteurs de puissance joue un rôle essentiel dans l’amélioration de l’efficacité énergétique et de la gestion thermique dans l’électronique de puissance des véhicules électriques et les systèmes de contrôle automobiles. Dans ce contexte, Diodes Incorporated a introduit de nouveaux MOSFET N-channel PowerDI8080-5, dont un modèle 100 V destiné aux architectures automobiles 48 V.

Mosfet pour la conversion de puissance automobile
Le portefeuille élargi comprend des Mosfet de 40 V à 100 V conçus pour réduire les pertes par conduction et la génération de chaleur dans l’électronique de puissance automobile. Les domaines d’application typiques incluent les moteurs brushless DC (BLDC) et les convertisseurs DC/DC utilisés dans les véhicules électriques à batterie (BEV), les véhicules hybrides (HEV) et les véhicules à moteur à combustion interne (ICE).

Le Mosfet 100 V de la série DMTH10H1M7SPGWQ présente un RDS(ON) maximal de 1,5 mΩ, permettant son utilisation dans des entraînements de moteurs BLDC 48 V pour des systèmes tels que la direction assistée électrique et les systèmes de freinage. Le composant convient également aux systèmes de déconnexion de batterie et aux chargeurs embarqués (OBC). Une version 80 V, le modèle DMTH81M2SPGWQ, est également disponible pour des applications de commutation à haute performance similaires.

Pour les applications basse tension, le Mosfet 40 V de la gamme DMTH4M40SPGWQ présente un RDS(ON) maximal de 0,4 mΩ et cible les moteurs BLDC 12 V ainsi que les étages de conversion DC/DC. Le Mosfet logique de la DMTH4M40LPGWQ, également classé à 40 V, atteint un RDS(ON) de 0,64 mΩ avec une tension grille-source (VGS) de 4,5 V, ce qui le rend adapté aux fonctions automobiles pilotées par microcontrôleur telles que les actionneurs, les commandes de ventilateurs et les interrupteurs de charge. Une version 60 V, DMTH6M70SPGWQ, est destinée aux sous-systèmes automobiles 24 V.

Boîtier pour une électronique automobile compacte
Les composants utilisent le boîtier PowerDI^®8080-5, qui occupe une surface de 64 mm² sur le circuit imprimé, soit environ 40 % de l’empreinte d’un boîtier TO-263 (D2PAK) conventionnel. Avec une hauteur de seulement 1,7 mm, ce boîtier est adapté aux unités de contrôle électroniques automobiles où l’espace est limité.

La technologie de connexion par clip en cuivre réduit la résistance thermique jonction-boîtier (RthJC) jusqu’à 0,3 °C/W et permet des courants de drain allant jusqu’à 847 A tout en maintenant la stabilité thermique. Cette performance thermique contribue à des conceptions à plus forte densité de puissance dans l’électronique automobile.

Adapté à la fabrication automatisée
La configuration des broches de type gullwing facilite l’inspection optique automatisée (AOI), largement utilisée dans la fabrication électronique automobile pour améliorer le contrôle des soudures et la fiabilité des processus. La conception du boîtier contribue également à la robustesse mécanique lors des cycles thermiques, un facteur important pour la fiabilité à long terme dans les environnements automobiles.

Publié avec l'assistance de l'IA par Aishwarya Mambet, rédactrice pour Induportals.

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