electronique-news.com
22
'26
Written on Modified on
ROHM présente des MOSFET SiC de 5e génération pour améliorer l’efficacité
Les nouveaux dispositifs réduisent la résistance à l’état passant de 30 % à haute température, améliorant la conversion d’énergie dans les véhicules électriques, les serveurs d’IA et les systèmes industriels.
www.rohm.com
L’électronique de puissance, la mobilité électrique et les infrastructures énergétiques dépendent de plus en plus de technologies de semi-conducteurs à haute efficacité. Dans ce contexte, ROHM Co., Ltd. a développé ses MOSFET SiC de 5e génération dans la série EcoSiC™, conçus pour réduire les pertes de puissance et améliorer les performances dans des applications à forte puissance telles que les groupes motopropulseurs de véhicules électriques, les alimentations pour serveurs d’IA et les systèmes énergétiques industriels.
Les nouveaux dispositifs reposent sur la technologie au carbure de silicium (SiC), qui gagne en adoption en raison de sa capacité à gérer des tensions, des températures et des fréquences de commutation élevées de manière plus efficace que les composants traditionnels à base de silicium.
Réduction de la résistance à l’état passant pour un fonctionnement à haute température
Une amélioration clé des MOSFET SiC de 5e génération est la réduction de la résistance à l’état passant d’environ 30 % à une température de jonction de 175 °C par rapport aux dispositifs de 4e génération précédents, dans des conditions équivalentes de tension et de taille de puce.
Cette réduction est obtenue grâce à des améliorations structurelles et à des processus de fabrication optimisés, entraînant :
- Des pertes de conduction réduites : Amélioration de l’efficacité des systèmes de conversion d’énergie
- Une densité de puissance plus élevée : Augmentation de la capacité de sortie dans le même encombrement
- Des performances thermiques améliorées : Fonctionnement stable dans des environnements à haute température
Ces caractéristiques sont particulièrement pertinentes pour des applications telles que les onduleurs de traction dans les véhicules électriques, où la gestion thermique et l’efficacité ont un impact direct sur l’autonomie et la taille du système.
Soutien aux applications à forte puissance dans différents secteurs
Les derniers MOSFET SiC sont conçus pour une large gamme d’applications nécessitant une conversion d’énergie efficace :
Soutien aux applications à forte puissance dans différents secteurs
Les derniers MOSFET SiC sont conçus pour une large gamme d’applications nécessitant une conversion d’énergie efficace :
- Systèmes automobiles : Onduleurs de traction, chargeurs embarqués (OBC), convertisseurs DC-DC et compresseurs électriques dans les xEV
- Équipements industriels : Alimentations pour serveurs d’IA et centres de données, onduleurs photovoltaïques et systèmes de stockage d’énergie
- Mobilité avancée et automatisation : Applications telles que les systèmes eVTOL et les servomoteurs AC
La demande croissante en calcul haute performance et en électrification stimule le besoin de composants capables de minimiser les pertes d’énergie tout en prenant en charge des densités de puissance plus élevées.
Répondre aux défis d’efficacité énergétique des infrastructures modernes
La croissance de l’IA générative et des applications gourmandes en données augmente les besoins énergétiques des centres de données et des systèmes industriels. Parallèlement, l’intégration des sources d’énergie renouvelables dans les réseaux intelligents nécessite des technologies efficaces de conversion et de stockage de l’énergie.
Les dispositifs SiC jouent un rôle essentiel dans ces environnements en réduisant les pertes lors de la conversion d’énergie, contribuant à une utilisation plus efficace de l’énergie disponible et soutenant un fonctionnement stable sous des conditions de charge élevée.
Évolution de la technologie SiC et adoption du marché
ROHM est actif dans le développement du SiC depuis le lancement de la production de masse des MOSFET SiC en 2010. Ses dispositifs de 4e génération précédents ont été largement adoptés dans les applications automobiles et industrielles, soutenus par la conformité à des normes telles que AEC-Q101 pour la fiabilité automobile.
L’introduction de la 5e génération marque une étape supplémentaire vers une adoption plus large de la technologie SiC, notamment à mesure que l’industrie évolue vers une efficacité accrue et des conceptions de systèmes plus compactes.
Disponibilité et développement futur
ROHM a commencé à proposer des versions « bare die » des MOSFET SiC de 5e génération en 2025, avec un développement complet achevé en mars 2026. Les livraisons d’échantillons de dispositifs discrets et de modules devraient débuter en juillet 2026.
L’entreprise prévoit d’élargir la gamme de produits avec des tensions nominales supplémentaires et des options de boîtier, tout en poursuivant le développement d’outils de conception et de support applicatif afin de faciliter l’intégration dans divers systèmes d’électronique de puissance.
En améliorant l’efficacité et en permettant des performances plus élevées dans des applications exigeantes, les derniers MOSFET SiC contribuent à faire progresser les solutions d’électronique de puissance dans les secteurs automobile, industriel et énergétique.
Édité par Natania Lyngdoh, rédactrice Induportals — Adapté par IA.
www.rohm.com
Répondre aux défis d’efficacité énergétique des infrastructures modernes
La croissance de l’IA générative et des applications gourmandes en données augmente les besoins énergétiques des centres de données et des systèmes industriels. Parallèlement, l’intégration des sources d’énergie renouvelables dans les réseaux intelligents nécessite des technologies efficaces de conversion et de stockage de l’énergie.
Les dispositifs SiC jouent un rôle essentiel dans ces environnements en réduisant les pertes lors de la conversion d’énergie, contribuant à une utilisation plus efficace de l’énergie disponible et soutenant un fonctionnement stable sous des conditions de charge élevée.
Évolution de la technologie SiC et adoption du marché
ROHM est actif dans le développement du SiC depuis le lancement de la production de masse des MOSFET SiC en 2010. Ses dispositifs de 4e génération précédents ont été largement adoptés dans les applications automobiles et industrielles, soutenus par la conformité à des normes telles que AEC-Q101 pour la fiabilité automobile.
L’introduction de la 5e génération marque une étape supplémentaire vers une adoption plus large de la technologie SiC, notamment à mesure que l’industrie évolue vers une efficacité accrue et des conceptions de systèmes plus compactes.
Disponibilité et développement futur
ROHM a commencé à proposer des versions « bare die » des MOSFET SiC de 5e génération en 2025, avec un développement complet achevé en mars 2026. Les livraisons d’échantillons de dispositifs discrets et de modules devraient débuter en juillet 2026.
L’entreprise prévoit d’élargir la gamme de produits avec des tensions nominales supplémentaires et des options de boîtier, tout en poursuivant le développement d’outils de conception et de support applicatif afin de faciliter l’intégration dans divers systèmes d’électronique de puissance.
En améliorant l’efficacité et en permettant des performances plus élevées dans des applications exigeantes, les derniers MOSFET SiC contribuent à faire progresser les solutions d’électronique de puissance dans les secteurs automobile, industriel et énergétique.
Édité par Natania Lyngdoh, rédactrice Induportals — Adapté par IA.
www.rohm.com
