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Relais MOSFET SiC pour applications haute tension jusqu'à 3 300 V
OMRON introduit la série G3VH pour accroître l'efficacité et la compacité des architectures haute tension.
industrial.omron.eu
OMRON Electronic Components Europe a présenté la nouvelle série de relais G3VH, basée sur la technologie du carbure de silicium (SiC). Avec des tensions nominales respectives de 1 800 V et 3 300 V, ces relais à semi-conducteurs ciblent les systèmes utilisant des tensions de bus ou de batterie supérieures à 1 000 V. Grâce à l'utilisation de MOSFET SiC, ces composants offrent une robustesse et une longévité accrues, tout en présentant des dimensions physiques nettement inférieures à celles des relais Reed conventionnels, ce qui permet le développement d'architectures système plus petites et plus efficaces.
Spécifications techniques de la série G3VH
Les relais intègrent des MOSFET SiC montés tête-bêche (back-to-back) avec un pilote de grille optiquement isolé, le tout dans un boîtier DIP compact à 6 broches. Ils se distinguent par des temps de commutation rapides (temps d'activation de 1 ms à 2 ms, temps de désactivation de 0,2 ms), ce qui est particulièrement critique pour les commandes de sécurité et la réduction des cycles de test dans les équipements de test automatisés (ATE).
- Modèle G3VH-331 : Conçu pour 3 300 V, courant de charge continu de 300 mA, courant d'appel de 900 mA (résistance : 3,5 ohms).
- Modèle G3VH-181 : Conçu pour 1 800 V, courant de charge continu de 30 mA, courant impulsionnel de 80 mA (résistance : 120 ohms).
Les deux modèles sont configurés en mode "normalement ouvert" (SPST-NO, type 1a) et sont disponibles pour le montage en surface (SMD) ainsi que pour le montage traversant (THT).
Avantages de la technologie SiC
La haute tolérance dV/dt du carbure de silicium garantit une commutation stable même dans des conditions électriques difficiles. De plus, les composants offrent une excellente résistance aux températures de fonctionnement élevées et aux contraintes thermiques. Ces propriétés prédestinent la série G3VH à une utilisation dans les systèmes d'entraînement industriels, les onduleurs photovoltaïques, les éoliennes ainsi que les systèmes de stockage d'énergie (ESS).
Contexte supplémentaire : Cette section détaille des spécifications techniques non incluses dans l'annonce originale.
Dans les systèmes haute tension, les contacts mécaniques ou les simples relais Reed constituent souvent un point faible, car ils sont sensibles à la formation d'arcs électriques sous haute tension et à l'usure mécanique lors de fréquences de commutation élevées. Les MOSFET SiC utilisent une bande interdite plus large (Wide Bandgap), ce qui non seulement augmente la résistance thermique, mais réduit également massivement les pertes de commutation par rapport au silicium pur.
Un avantage technique critique de ces relais réside dans leur configuration "tête-bêche" (back-to-back). Comme un seul MOSFET possède une diode de corps interne qui devient conductrice en sens inverse, un MOSFET simple ne pourrait bloquer le courant que dans une seule direction. Le montage antiparallèle de deux MOSFET permet au relais de sectionner efficacement le courant dans les deux directions, ce qui est impératif pour les circuits haute tension CC des systèmes de batteries. L'isolation optique empêche également tout retour entre la partie haute tension et la logique de commande (PLC/BMS), ce qui augmente la sécurité de fonctionnement de l'ensemble du système en cas de conditions défaillantes.
Édité par Lekshman Ramdas, éditeur d'Induportals – adapté par l'IA.
www.omron.com
Avantages de la technologie SiC
La haute tolérance dV/dt du carbure de silicium garantit une commutation stable même dans des conditions électriques difficiles. De plus, les composants offrent une excellente résistance aux températures de fonctionnement élevées et aux contraintes thermiques. Ces propriétés prédestinent la série G3VH à une utilisation dans les systèmes d'entraînement industriels, les onduleurs photovoltaïques, les éoliennes ainsi que les systèmes de stockage d'énergie (ESS).
Contexte supplémentaire : Cette section détaille des spécifications techniques non incluses dans l'annonce originale.
Dans les systèmes haute tension, les contacts mécaniques ou les simples relais Reed constituent souvent un point faible, car ils sont sensibles à la formation d'arcs électriques sous haute tension et à l'usure mécanique lors de fréquences de commutation élevées. Les MOSFET SiC utilisent une bande interdite plus large (Wide Bandgap), ce qui non seulement augmente la résistance thermique, mais réduit également massivement les pertes de commutation par rapport au silicium pur.
Un avantage technique critique de ces relais réside dans leur configuration "tête-bêche" (back-to-back). Comme un seul MOSFET possède une diode de corps interne qui devient conductrice en sens inverse, un MOSFET simple ne pourrait bloquer le courant que dans une seule direction. Le montage antiparallèle de deux MOSFET permet au relais de sectionner efficacement le courant dans les deux directions, ce qui est impératif pour les circuits haute tension CC des systèmes de batteries. L'isolation optique empêche également tout retour entre la partie haute tension et la logique de commande (PLC/BMS), ce qui augmente la sécurité de fonctionnement de l'ensemble du système en cas de conditions défaillantes.
Édité par Lekshman Ramdas, éditeur d'Induportals – adapté par l'IA.
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