Alimentation 800 VDC : Infineon renforce sa collaboration avec Nvidia
Infineon et Nvidia développent des solutions de conversion de puissance au GaN pour les centres de données IA en 800 VDC.
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Infineon renforce sa collaboration avec Nvidia autour des architectures d’alimentation en courant continu de 800 V (800 VDC) destinées aux centres de données dédiés à l’intelligence artificielle. Annoncée le 21 octobre 2026 à l’occasion de la conférence GTC Berlin de Nvidia, cette nouvelle étape porte notamment sur les convertisseurs de bus intermédiaire haute tension (IBC, Intermediate Bus Converter), qui abaissent la tension distribuée dans les serveurs avant les étages de conversion alimentant les processeurs et les accélérateurs d’IA.
L’augmentation de la puissance électrique consommée par les charges de calcul dédiées à l’IA conduit à faire évoluer les architectures d’alimentation des centres de données. La distribution en 800 VDC constitue une option supplémentaire aux architectures existantes en courant alternatif et en courant continu à plus basse tension. Elle vise notamment à répondre aux besoins des infrastructures de calcul à forte densité de puissance, alors que la consommation électrique par baie peut atteindre le mégawatt.
Dans une architecture à bus intermédiaire, le convertisseur IBC abaisse la tension du bus principal vers un niveau intermédiaire, à partir duquel d’autres étages génèrent les tensions nécessaires aux cœurs des processeurs et aux circuits d’alimentation au plus près des charges (point of load). Cette conversion en plusieurs étapes permet de limiter les pertes liées à la distribution électrique, tout en respectant les contraintes d’encombrement, de dissipation thermique et de disponibilité des équipements.
Le nitrure de gallium pour augmenter la densité de puissance
Infineon met en avant ses composants de puissance en nitrure de gallium (GaN) pour cette étape de conversion. Par rapport aux composants en silicium, le GaN permet des commutations plus rapides et des pertes de commutation réduites. Ces caractéristiques autorisent des fréquences de découpage pouvant atteindre 1 MHz au niveau des convertisseurs IBC.
L’augmentation de la fréquence permet de réduire la taille des composants magnétiques et des éléments passifs associés. Il devient ainsi possible de diminuer l’encombrement des convertisseurs et la hauteur des cartes électroniques, un enjeu pour les serveurs dont l’espace disponible est limité. Les pertes de conduction et de commutation plus faibles contribuent également à réduire la chaleur dissipée et à limiter les besoins de refroidissement.
Infineon associe ses composants GaN à ses familles de circuits de commande PSoC C3 et de pilotes de grille EiceDRIVER pour proposer des solutions complètes de conversion IBC. Son portefeuille couvre plusieurs rapports de conversion entre le bus de 800 V et les tensions intermédiaires de 50 V, 12 V et 6 V. Ces différentes configurations permettent d’adapter l’architecture électrique des baies aux besoins des équipements alimentés.
Une collaboration étendue à la chaîne d’alimentation
Le travail conjoint d’Infineon et de Nvidia s’inscrit dans la continuité des annonces de mai et d’octobre 2025, qui portaient notamment sur les baies serveurs en 800 VDC et la possibilité de remplacer des équipements sous tension (hot-swap).
Au-delà des convertisseurs IBC, la collaboration couvre aussi la protection des chemins d’alimentation. Les solutions concernées intègrent notamment des fonctions de contrôle du remplacement à chaud des équipements, afin de prendre en compte les exigences de sécurité et de maintenance des futures cartes serveurs fonctionnant sous 800 VDC.
Infineon propose par ailleurs des solutions de conversion de puissance reposant sur le silicium, le GaN et le carbure de silicium (SiC). L’entreprise entend ainsi couvrir différents besoins de conception, depuis les alimentations raccordées au réseau électrique jusqu’aux étages de conversion situés au plus près des processeurs.
Publié par Youssef Belgnaoui, rédacteur pour Induportals.
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