Toshiba annonce de nouveaux MOSFET canal-N 100V pour applications automobiles

Nouveaux dispositifs à très haut rendement, pour la première fois en boîtier SOP Advance (WF).

Toshiba Electronics Europe lance ses tout premiers MOSFET de puissance canal-N 100V, destinés aux applications automobiles, en petit boîtier SOP Advance (WF) montables en surface. Conçus spécialement pour les systèmes 48V modernes, ces dispositifs sont bien adaptés aux convertisseurs boost (survolteur) présents dans les alternateurs-démarreurs intégrés (ISG pour Integrated Starter Generator en anglais) et les phares à LED, ainsi que dans les variateurs de vitesse, les régulateurs à découpage, et les commutateurs de charge.

Les XPH4R10ANB et XPH6R30ANB améliorent le rendement des systèmes automobiles grâce à leur faible résistance à l’état passant (RDS(ON)). En pratique, le XPH4R10ANB offre une résistance à l’état passant de seulement 4,1 mΩ, ce qui permet de réduire considérablement les pertes. Les deux dispositifs sont logés en boîtier SOP Advance (WF) à flans mouillables. Ce type de petit boîtier est éprouvé pour les applications automobiles 48V, et il est compatible avec les machines AOI (Automated Optical Inspection, ou inspection optique automatisée) qui servent à contrôler la qualité des joints de soudure.

Les deux dispositifs font partie de la série U-MOSVIII-H de Toshiba et offrent une tension drain-source (VDS) de 100V et une température maximale de fonctionnement de 175ºC. Translator’s note : shouldn’t source text say ‘VDS’ and not ‘VDSS’ for drain-source voltage? Le XPH4R10ANB supporte un courant de drain continu maximum de 70A, et 210A en mode pulsé. Pour le XPH6R30ANB les valeurs sont respectivement de 45A et 135A.

Les deux dispositifs sont aujourd’hui produits en série et sont livrables en quantités de production.

www.toshiba.com

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