Toshiba lance deux nouveaux MOSFET de puissance canal-N 80 V

Basés sur le procédé U-MOSX-H, ces nouveaux dispositifs vont considérablement améliorer le rendement des alimentations.

Toshiba Electronics Europe (“Toshiba”) a lancé deux nouveaux MOSFET de puissance canal-N 80 V, basés sur son procédé de dernière génération, U-MOSX-H. Ces deux dispositifs conviennent à une large gamme d'applications de puissance nécessitant un fonctionnement à faibles pertes, notamment les applications de conversion AC-DC et DC-DC à haut rendement des centres de données et des stations de base de communication, et de nombreux variateurs de vitesse pour moteur.

Les TPH2R408QM et TPN19008QM sont des dispositifs U-MOSX-H 80 V, qui présentent une réduction d'environ 40% de la résistance drain-source à l’état passant (RDS(ON)) par rapport aux produits 80 V équivalents issus de processus antérieurs, tels que U-MOSVIII- H. Par conséquent, le TPN19008QM présente une valeur RDS(ON) de 19 mΩ (maximum), contre seulement 2,43 mΩ pour le TPH2R408QM.

L'optimisation de la structure du dispositif a permis d’améliorer de 15% le compromis entre la valeur de RDS(ON) et la charge de grille, et de 31% celui entre la valeur de RDS(ON) et la charge en sortie. Ces facteurs, associés aux améliorations de RDS(ON) , signifient que ces nouveaux MOSFET présentent la plus faible dissipation thermique du marché. Ces deux MOSFET de puissance sont logés dans des boîtiers CMS (composants à monter en surface) et présentent une tension drain-source (VDSS) nominale de 80V. Ils peuvent fonctionner avec des températures de canal (Tch) jusqu'à 175ºC. Le TPN19008QM offre un courant de drain (ID) nominal de 34A et se présente en boîtier TSON Advance de 3,3 x 3,3 mm, tandis que le TPH2R408QM offre un ID nominal de 120A et il est logé en boîtier SOP Advance de 5,0 x 6,0 mm.

www.toshiba.com

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