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Rohm Semiconductors News
Développer ensemble des onduleurs automobiles à base de SiC : ROHM et LEADRIVE établissent un laboratoire conjoint
ROHM et Leadrive Technology (LEADRIVE), le fabricant chinois basé à Shanghai leader des groupes motopropulseurs automobiles pour véhicules à nouvelle énergie, ont organisé une cérémonie d’ouverture de leur laboratoire conjoint de technologie SiC dans la zone pilote chinoise (Shanghai) de libre-échange (nouvelle zone de Lingang).
Les composants de puissance SiC ont été de plus en plus adoptés dans les chargeurs de véhicules embarqués et dans les convertisseurs DC/DC. Ces appareils offrent plusieurs avantages par rapport aux composants à base de silicium tels que les IGBT. Un avantage clé : des pertes significativement moindres pendant à la fois la commutation et la conduction ainsi que la capacité de fonctionner à une température plus élevée.
Depuis 2017, ROHM et LEADRIVE collaborent et procèdent à des échanges techniques détaillés sur les applications automobiles utilisant des composants SiC. La création d’un laboratoire de recherche commun centré sur les modules de puissanceet les onduleurs de véhicules utilisant des puces MOSFET SiC nues et des gate drivers isolés de ROHM donnera aux deux entreprises la possibilité d’accélérer encore le développement de solutions de puissance innovantes.
« L’adoption de modules intégrant des puces SiC pour les véhicules à nouvelle énergie deviendra une tendance de l’industrie dans les prochaines années. La commercialisation de composants SiC matures en faisant appel à des ressources du monde entier et en réalisant la recherche et le développement nous donne un avantage concurrentiel en tant que fabricant automobile de niveau 1 », dit Jie Shen, président et directeur général de Leadrive Technology (Shanghai) Co. Ltd. « Rohm s’est avéré être un partenaire puissant depuis la fondation de LEADRIVE. Ce laboratoire de recherche conjoint nous permettra d’approfondir notre collaboration », poursuit M. Shen.
« En tant que pionnier et fournisseur leader de composants de puissance SiC, ROHM a une expérience éprouvée dans la fourniture de solutions d’alimentation de haute qualité combinant une technologie de pointe et des circuits de commande, et nous nous sommes engagés à promouvoir l’utilisation du SiC pour les applications xEV », ajoute Kazuhide Ino, membre du conseil d’administration, administrateur de société, directeur de la stratégie et directeur principal de l’activité de composants de puissance chez ROHM Co., Ltd. « La compréhension des besoins des clients et des tendances du marché est extrêmement importante lors du développement de la technologie d’appareils d’alimentation SiC. LEADRIVE joue un rôle important dans la recherche appliquée de SiC en tant que fabricant de modules d’alimentation d’automobiles et d’onduleurs. Via ce laboratoire de recherche, nous pouvons renforcer notre partenariat et contribuer à l’innovation technique de solutions d’alimentation automobile centrées sur le SiC », conclut M. Ino.
La terminologie électronique en un coup d’œil: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor, transistor bipolaire à porte isolée)
Un transistor d’alimentation combinant les caractéristiques de la commutation à grande vitesse d’un MOSFET avec la faible perte de conduction d’un transistor bipolaire.
Pertes de commutation et de conduction
Des pertes se produisent inévitablement dans des transistors tels que les MOSFET et les IGBT en raison de leur structure d’appareil particulière. Des pertes de commutation se produisent lorsque l’état de conduction de l’appareil est commuté (pendant l’opération de commutation). La perte de conduction est générée par le composant de résistance interne lorsque le courant circule à travers l’appareil (état MARCHE).
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, transistor à effet de champ à oxydes métalliques)
La structure la plus couramment utilisée dans les FET. Ils sont souvent adoptés comme éléments de commutation.
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