TOSHIBA ANNONCE DES MOSFET CANAL-N COMPACTS À FAIBLE RÉSISTANCE À L'ÉTAT PASSANT POUR L'AUTOMOBILE

Toshiba Electronics Europe (Toshiba) a développé une série de nouveaux MOSFET canal-N à haut rendement pour applications automobiles, basés sur la technologie avancée U-MOSVIII-H de la société. Les XPN3R804NC et XPN7R104NC ont tous deux une tension nominale de 40 V, tandis que les XPN6R706NC et XPN12006NC fonctionnent jusqu’à 60 V. Tous présentent des valeurs de résistance à l'état passant extrêmement faibles, pouvant descendre à 3,8 mΩ (pour le XPN3R804NC à 10 V), ainsi qu’un courant de fuite minimal.

Ces MOSFET sont logés dans des boîtiers TSON Advance (WF) pour montage en surface, ce qui garantit une empreinte minimale sur la carte. Cette empreinte est de 3,3 × 3,6 mm (typique) alors que ces MOSFET peuvent remplacer des dispositifs d'une taille de 5 × 6 mm. Grâce à l'utilisation de boîtiers à flancs mouillables sans pattes, le placement automatique et l'inspection optique automatisée (AOI) sont également facilités.

Entièrement conformes à la norme AEC-Q101, ces MOSFET sont plus particulièrement destinés aux applications automobiles. Grâce à leur compacité intrinsèque, ils contribuent de manière significative à la réduction de la taille des unités de commande électronique (ECU) des véhicules. Parmi leurs autres applications potentielles, on peut citer les régulateurs à découpage, les convertisseurs CC-CC et les commandes moteurs.

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