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Toshiba News
MOSFET TOSHIBA COMPACTS À FAIBLE RÉSISTANCE À L'ÉTAT PASSANT AMÉLIORANT SENSIBLEMENT LE FONCTIONNEMENT DES BATTERIES
Toshiba Electronics Europe (« Toshiba ») élargit encore sa gamme de MOSFET canal-N à économie d'énergie avec l'introduction du SSM6N951L. S'appuyant sur l'expertise de la société en matière de processus de semiconducteurs de puissance et sur une propriété intellectuelle de pointe, ce dispositif 12 V à drain commun offre des performances opérationnelles parmi les meilleures du marché.
Le SSM6N951L est spécialement destiné à être inclus dans le circuit de protection des batteries Li-Ion. Sa très faible résistance à l'état passant (4.6 mΩ maximum à VGS = 3.8 V) et son faible courant de fuite grille-source (1 μA maximum à VGS = 3.8 V) signifient que ce dispositif de puissance discret présente des caractéristiques thermiques bien meilleures que la concurrence. Cela représente un réel avantage pendant les cycles de charge et de décharge des batteries, et permet de développer des solutions à plus haute densité autorisant des recharges plus rapides, ainsi qu'une fiabilité supérieure et une durée de vie opérationnelle plus longue.
Ces nouveaux MOSFET sont livrés en boîtier TCSP6A-172101 de 2,14 x 1,67 x 0,11 mm. Par conséquent, ils sont parfaitement adaptés aux appareils modernes alimentés par batterie, dans lesquels l'espace est limité.
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