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Rohm Semiconductors News

Des MOSFET ultracompacts de 1 mm² pour réduire les dimensions de conception dans les automobiles

Amélioration de la dissipation de la chaleur et de la fiabilité du montage.

Des MOSFET ultracompacts de 1 mm² pour réduire les dimensions de conception dans les automobiles

ROHM a lancé les MOSFET ultracompacts qualifiés AEC-Q101, les RV8C010UN, RV8L002SN et BSS84X au format 1mm², les meilleurs de leur catégorie et apportant une fiabilité de qualité automobile. Les produits sont adaptés aux applications à haute densité telles que les systèmes ADAS et les UCE automobiles.

L’électrification continue des véhicules au cours des dernières années a significativement augmenté le nombre de composants électroniques et semiconducteurs utilisés dans chaque véhicule. Par conséquent, la nécessité d’une augmentation spectaculaire de la densité des composants s’est encore accrue. Par exemple, le nombre moyen de condensateurs céramiques multicouches et de composants semiconducteurs installés dans une seule UCE automobile devrait augmenter de 30 %, en passant de 186 en 2019 à 230 en 2025. Au même moment, pour les applications automobiles haute densité exigeant une miniaturisation accrue, des études portant sur des boîtiers à électrode de fond à même de parvenir à une excellente dissipation de chaleur dans un facteur de forme compact sont en cours.

Pour les pièces automobiles, l’inspection optique automatisée (automated optical inspection=AOI) est réalisée après le montage pour assurer la fiabilité. Mais avec les composants d’électrode de fond, le joint de soudure ne peut pas être vérifié car les bornes ne sont pas visibles, ce qui complique une inspection visuelle correspondant aux standards automobiles. ROHM a résolu ces problèmes avec sa technologie à flanc mouillable (wettable flank) assurant une hauteur d’électrode latérale sans précédent de 125 µm dans le format 1,0 mm × 1,0 mm, menant à une adoption accrue par de nombreux constructeurs de véhicules.

Une fiabilité de montage de soudure extrêmement élevée est atteinte pendant l’AOI dans les systèmes automobiles requérant une qualité élevée. De plus, le nouveau boîtier à électrode de fond fournit simultanément une miniaturisation révolutionnaire et une haute dissipation de chaleur, ce qui le rend idéal pour les systèmes ADAS et les UCE automobiles présentant des densités de cartes élevées.

En plus des MOSFET, ROHM s’engage à poursuivre l’expansion de sa gamme de produits de transistors et diodes bipolaires.


Des MOSFET ultracompacts de 1 mm² pour réduire les dimensions de conception dans les automobiles

Fonctions clés

1. La technologie de flanc mouillable originale assure une hauteur d’électrode latérale de 125 µm

Avec des boîtiers conventionnels d’électrodes de fond, les côtés de la grille de connexion ne peuvent pas être plaqués, ce qui complique la réalisation de l’AOI pour vérifier la hauteur de soudure requise pour les applications automobiles. En revanche, les nouveaux MOSFET de ROHM tirent parti de la technologie propriétaire de flanc mouillable pour assurer une hauteur révolutionnaire d’électrode latérale de 125 µm dans le format 1,0 mm × 1,0 mm. Cela permet une formation de bordure de bande stable, même avec des boîtiers d’électrodes de fond, permettant la vérification de l’état de la soudure par AOI après le montage.


Des MOSFET ultracompacts de 1 mm² pour réduire les dimensions de conception dans les automobiles

2. Des MOSFET ultracompacts à haute dissipation de chaleur aident au montage haute densité

Les nouveaux MOSFET de ROHM réalisent les mêmes performances que les boîtiers 2,9 mm × 2,4 mm (boîtiers SOT-23) mais dans le boîtier 1,0 × 1,0 mm plus petit (boîtiers DFN1010), réduisant la superficie de montage d’environ 85 %. De plus, l’adoption d’une structure d’électrode de fond à haute dissipation de chaleur améliore la dissipation de chaleur (qui normalement décroît avec la taille) de jusqu’à 65 % par rapport au SOT-23. Par conséquent, les RV8C010UN, RV8L002SN, et BSS84X sont idéaux pour les UCE automobiles et les systèmes ADAS pour lesquels des densités de cartes plus hautes se traduisent par des performances accrues.


Des MOSFET ultracompacts de 1 mm² pour réduire les dimensions de conception dans les automobiles

Gamme


Des MOSFET ultracompacts de 1 mm² pour réduire les dimensions de conception dans les automobiles

Exemples d’applications

Adaptés aux applications de protection de commutation et de connexion inversée

  • UCE de commande de conduite autonome
  • Infodivertissement de voitures
  • UCE de commande de moteur
  • Enregistreurs de conduite
  • Applications ADAS

Disponibilité : production en masse

Terminologie

Standard de fiabilité automobile AEC-Q101

AEC signifie Automotive Electronics Council (Conseil de l’électronique automobile), une organisation chargée d’établir des normes de fiabilité pour l’électronique automobile. Le standard Q101 est destiné spécifiquement aux produits semiconducteurs discrets.

Technologie de flanc mouillable (wettable flank)

Technique de placage des côtés de la grille de connexion sur des boîtiers d’électrodes de fond tels que QFN et DFN. Elle améliore considérablement la soudabilité.

AOI (Automated Optical Inspection)

Les cartes sont numérisées à l’aide d’une caméra et inspectées automatiquement à la recherche de composants manquants, de défauts de qualité et d’état de la soudure.

www.rohm.com

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