MOSFET durcis aux radiations qualifiés pour les satellites commerciaux et militaires, et solutions d’alimentation pour l’espace

La nouvelle famille de transistors M6 MRH25N12U3 de Microchip supporte les conditions hostiles de l’espace et améliore la fiabilité des circuits d’alimentation.

Les alimentations sur les applications spatiales fonctionnent dans des environnements qui exigent une technologie durcie aux radiations afin de résister aux interactions extrêmes entre les particules ainsi qu’aux évènements solaires et électromagnétiques. Ces phénomènes dégradent en effet les systèmes évoluant dans l’espace et perturbent leur fonctionnement. Afin de répondre à ces exigences, Microchip Technology Inc. (Nasdaq : MCHP) annonce ce jour la qualification, pour des applications d'aérospatiale commerciale et spatiale militaire, de son transistor à effet de champ (MOSFET) durci aux radiations, 250 V, 0,21 Ohm Rds(on), le M6 MRH25N12U3.

Le MRH25N12U3 offre un élément de commutation primaire dans les circuits de conversion de l’alimentation incluant des convertisseurs de point de charge (POL), des convertisseurs DC-DC, des entraînements et commandes de moteur et des commutateurs à usage général. Le MOSFET supporte les conditions hostiles de l’espace, améliore les circuits d’alimentation et respecte toutes les exigences de la norme MIL-PRF19500/746, affichant des performances supérieures. Microchip a passé avec succès les tests de révision et de qualification de la DLA (l’agence américaine de logistique pour la Défense, Defense Logistics Agency), pour être utilisé comme fournisseur dans la chaîne d’approvisionnement de l’armée américaine (certification JANSR2N7593U3 prévue pour le mois de juin 2021).

Le MRH25N12U3 est conçu pour être utilisé dans les futurs systèmes de satellites ainsi que pour servir de source alternative aux systèmes existants.

Le composant peut supporter une dose absorbée TID (Total Ionizing Dose) allant jusqu'à 100 krad et 300 krad, et des effets d’une particule isolée, ou SEE (pour Single Event Effects), avec un transfert d’énergie linéique (TEL) maximum de 87 MeV/mg/cm2. Il présente un durcissement aux radiations de 100% par lot de tranches lors des tests de validation.

« L’entrée de Microchip sur le marché des MOSFET durcis aux radiations prouve notre engagement sur le long terme envers notre base de clientèle et offre aux constructeurs et intégrateurs de l’industrie aérospatiale et militaire des solutions ultra performantes et un approvisionnement continu », explique Leon Gross, vice-président de la branche dédiée aux composants discrets de Microchip. « En plus de notre qualité et fiabilité éprouvées, le MRH25N12U3 constitue une solution économique pour les développeurs et leur offre un support de développement d’application complet. »

Le MRH25N12U3 fait partie intégrante du vaste portefeuille de Microchip de produits de technologie aérospatiale, militaire et spatiale, qui comprend des FPGA (Field-Programmable Gate Array, soit « réseau de portes programmables in situ »), des CI de microprocesseurs, des CI linéaires, des composants d’alimentation, des composants discrets et des modules de puissance qui intègrent à la fois des solutions SiC et d’alimentation Si. Grâce à ces produits, à ses microcontrôleurs et à ses produits analogiques, Microchip répond entièrement aux besoins de commande de systèmes haute puissance, de pilotage de grilles et d’étages d’alimentation, en aidant les développeurs dans le monde entier grâce à des solutions systèmes complètes.

Tout en continuant à introduire de nouvelles technologies, les équipes de Microchip collaborent avec les fabricants et intégrateurs d’applications spatiales pour sécuriser les chaînes d'approvisionnement pour les systèmes existants et futurs.

Pour plus d’informations, rendez-vous sur la page du portefeuille de produits d’aérospatiale et militaires de Microchip.

www.microchip.com

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