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Microchip renforce sa gamme de produits RF en nitrure de gallium avec un circuit intégré hyperfréquence haute linéarité en bande Ka, destiné aux terminaux de communications par satellite

Le GMICP2731-10 assure la fidélité du signal en permettant aux stations terrestres de transmettre à des fréquences RF élevées, sans sacrifier la qualité de signal.

Microchip renforce sa gamme de produits RF en nitrure de gallium avec un circuit intégré hyperfréquence haute linéarité en bande Ka, destiné aux terminaux de communications par satellite

Les systèmes de communication par satellite font appel à des schémas de modulation complexes pour atteindre les débits de données extrêmement rapides nécessaires à la transmission de vidéos et de données à très haut débit. Pour y parvenir, ils doivent fournir une puissance de sortie RF élevée, tout en veillant à ce que les signaux conservent les caractéristiques souhaitées. Le nouvel amplificateur MMIC GaN GMICP2731-10 annoncé aujourd'hui par Microchip Technology Inc. (Nasdaq : MCHP) permet de répondre à ces deux exigences.

Ce nouveau dispositif, qui est le premier CI monolithique hyperfréquence (MMIC) GaN de Microchip, est destiné aux communications par satellite, commerciales et militaires, aux réseaux 5G, et autres systèmes aérospatiaux et de défense.

Le GMICP2731-10 est fabriqué en technologie nitrure de gallium sur carbure de silicium (GaN-on-SiC). Il délivre jusqu'à 10 W de puissance de sortie RF saturée sur une bande passante de 3,5 GHz entre 27,5 et 31 GHz. Son efficacité de puissance ajoutée est de 20%, avec un gain de 22 dB pour les petits signaux, et 15 dB de pertes retour. Son architecture équilibrée permet au GMICP2731-10 d'être adapté à une charge 50 ohms. Par ailleurs, il intègre des condensateurs de blocage du courant continu en sortie pour simplifier son intégration au sein d’une conception.

« Alors que les systèmes de communication utilisent des schémas de modulation complexes tels que 128-QAM et que la puissance des amplificateurs à semi-conducteurs (SSPA) ne cesse d'augmenter, les concepteurs d'amplificateurs RF doivent relever le défi de fournir plus de puissance, tout en réduisant poids et consommation, » déclare Leon Gross, Vice-Président de la division Produits discrets de Microchip. « Les circuits intégrés hyperfréquence GaN utilisés dans les SSPA de forte puissance peuvent présenter une consommation et un poids plus de 30% inférieurs par rapport à leurs homologues GaAs, ce qui représente un gain énorme pour les fabricants de satellites. Ce produit tient les promesses du GaN et permet d'obtenir la taille, le poids, la puissance et le coût que recherchent les équipementiers. »

Le GMICP2731-10 vient compléter le catalogue Microchip existant, qui comprend des amplificateurs RF, des commutateurs, des amplificateurs faible bruit et des modules frontaux Wi-Fi en technologie GaAs, ainsi qu'un driver de HEMT (transistor à haute mobilité électronique) en technologie GaN-on-SiC, et des transistors d’amplificateur final de systèmes radar.

Outils de développement
Microchip, ainsi que ses partenaires distributeurs, fournit une assistance à la conception de cartes tirant parti de ces dispositifs. La société propose également des modèles compacts pour le GMICP2731-10, qui permettent aux clients de modéliser plus facilement les performances et d'accélérer la conception de l'amplificateur au sein de leur système.

Disponibilité
Le GMICP2731-10 est disponible dès aujourd'hui en volume. Pour plus d'informations, contactez un représentant commercial de Microchip ou l'un de ses distributeurs agréés, ou visitez le site web de Microchip. Pour acheter le GMICP2731-10, visitez notre portail d’achat ou contactez un distributeur agréé Microchip.

www.microchip.com

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