LES NOUVEAUX IGBT HYBRIDES DE ROHM AVEC DIODE SIC INTÉGRÉE

ROHM a développé des IGBT hybrides avec une diode 650 V SiC à barrière de Schottky, la série RGWxx65C (RGW60TS65CHR, RGW80TS65CHR, RGW00TS65CHR). Les appareils sont qualifiés au titre de la norme de fiabilité automobile AEC-Q101. Ils sont idéaux pour les applications automobiles et industrielles qui gèrent une puissance élevée, telles que les conditionneurs de puissance photovoltaïques, les chargeurs embarqués et les convertisseurs DC/DC utilisés dans les véhicules électriques et électrifiés (xEV).




La série RGWxx65C utilise les diodes à barrière de Schottky à faibles pertes de ROHM dans le bloc de réaction d’IGBT en tant que diode à roue libre n’ayant presque pas d’énergie de récupération et ainsi une perte de commutation minimale de la diode. De plus, étant donné que le courant de récupération n’a pas besoin d’être géré par l’IGBT en mode de mise en marche, la perte à la mise en marche de l’IGBT est réduite de manière significative. Les deux effets conjoints entraînent des pertes jusqu’à 67 % plus faibles que celles des IGBT conventionnels et une perte inférieure de 24 % par rapport aux MOSFET Super Junction (MOSFET SJ) lorsqu’ils sont utilisés dans des chargeurs de véhicules. Cet effet offre de bonnes performances en termes de coûts tout en contribuant à réduire la consommation d’énergie dans les applications industrielles et automobiles.

Ces dernières années, les efforts mondiaux visant à réduire le fardeau environnemental et à parvenir à une société neutre en carbone et décarbonée ont stimulé la diffusion des véhicules électrifiés (xEV). Dans le même temps, la diversification des semiconducteurs de puissance utilisés dans divers circuits d’onduleur et de convertisseurs de véhicules nécessaires à la configuration de systèmes plus efficaces est actuellement en cours, ainsi que l’innovation technologique d’appareils d’alimentation SiC à très faible perte (par exemple MOSFET SiC, SBD SiC) et des composants de puissance conventionnels au silicium (par exemple les IGBT, les MOSFET Super Junction).

Afin de fournir des solutions d’alimentation pour une large gamme d’applications, ROHM se focalise non seulement sur un développement de produit et de technologie pour les composants de puissance SiC à la pointe de l’industrie, mais aussi pour les produits au silicium et les circuits intégrés de commande.




Disponibilité : mars 2021 (échantillons), décembre 2021 (production en masse)

Exemples d’applications

En plus de ces nouveaux IGBT hybrides, nous proposons des produits utilisant des diodes à récupération rapide (FRD) en silicium comme la diode en roue libre ainsi que des produits sans diode en roue libre. Cliquez sur l’URL ci-dessous pour plus d’informations.

Matériel d’aide à la conception

Un large éventail de données de conception est également disponible sur le site Web de ROHM, notamment des modèles de simulation (SPICE) et des notes d’application sur la conception des circuits de commande, nécessaires à l’intégration et à l’évaluation permettant une mise sur le marché rapide.

www.rohm.com