electronique-news.com
11
'21
Written on Modified on
Kioxia News
KIOXIA VA TOUJOURS PLUS LOIN EN MATIÈRE DE PERFORMANCE AVEC SES NOUVEAUX DISPOSITIFS À MÉMOIRE FLASH EMBARQUÉS UFS VER 3.1
Conçus avec la cinquième génération de mémoire flash BiCS FLASH 3D, ces derniers offrent des profils plus fins et des vitesses de lecture/d’écriture plus rapides pour les applications exigeantes.
KIOXIA Europe GmbH a annoncé aujourd’hui l’échantillonnage de sa toute dernière génération de dispositifs de mémoire flash embarqués de 256 et de 512 gigaoctets (Go) conformes à la norme UFS (Universal Flash Storage) version 3.1. Contenus dans des boîtiers de 0,8 mm et 1,0 m de haut, les nouveaux produits permettent d’améliorer de 30 % la lecture aléatoire et de 40 % l’écriture aléatoire – les rendant plus fins et plus rapides que leurs prédécesseurs. Les nouveaux dispositifs KIOXIA UFS utilisent la mémoire flash BiCS FLASH 3D la plus récente, de cinquième génération et haute performance conçue par l’entreprise et sont destinés à une variété d’applications mobiles.
Le large éventail d’applications prenant en compte les défis de consommation et de place et qui utilisent la mémoire flash embarquée nécessite encore et toujours des performances et une densité plus élevées, ce qui fait de l’UFS une solution de plus en plus choisie. En nombre total de gigaoctets, l’UFS représente désormais la majorité de la demande par rapport à l’e-MMC. Selon Forward Insights, si l’on combine la demande globale en gigaoctets d’UFS et d’e-MMC dans le monde, près de 70 % de la demande cette année concerne l’UFS, et cette tendance n’est pas prête de diminuer.
« Avec la nouvelle version 3.1 de l’UFS, notre leadership constant dans le domaine de la standardisation JEDEC nous permet de faire une nouvelle percée en matière de performances et de facteurs de forme pour les mémoires non volatiles embarquées », indique Axel Stoermann, vice-président marketing et ingénierie des mémoires chez KIOXIA Europe GmbH. « Des contrôles réguliers ainsi que le développement continu de la technologie de mémoire flash 3D BiCS FLASH de KIOXIA permettent non seulement de proposer une nouvelle gamme de produits offrant une vitesse de lecture et d’écriture aléatoires dans les formats de conditionnement les plus fins, mais offrent également aux nouveaux appareils le potentiel de devenir la solution privilégiée pour un large éventail d’applications industrielles exigeantes. »
Les nouveaux appareils UFS 256 Go et 512 Go présentent les avancées suivantes :
- Une amélioration des performances de 30 % en lecture aléatoire et de 40 % en écriture aléatoire.
- Host Performance Booster (HPB) Ver. 2.0 : améliore les performances de lecture aléatoire en utilisant la mémoire côté hôte pour stocker les tables de conversion d’adresses logiques en adresses physiques. Alors que HPB Ver. 1.0 permet uniquement un accès à des parties d’une capacité de 4 Ko, HPB Ver. 2.0 permet un accès plus large, ce qui peut améliorer les performances de lecture aléatoire.
- Un boîtier 256 Go plus fin et d’une hauteur d’à peine 0,8 mm
