KIOXIA et Western Digital annoncent une nouvelle mémoire flash 3D

Des innovations architecturales révolutionnaires en matière de technologies de mise à l'échelle et de collage des plaquettes de silicium permettent d'améliorer considérablement les performances, la densité et la rentabilité.

KIOXIA Europe GmbH fait part des récents développements de la coopération entre KIOXIA Corporation et Western Digital Corp. Les entreprises, qui font preuve d'une innovation constante, dévoilent les détails de leur toute dernière technologie de mémoire flash 3D. Grâce à des technologies avancées de mise à l'échelle et de collage de plaquettes, la mémoire flash 3D offre une capacité, des performances et une fiabilité exceptionnelles à un coût avantageux. Elle est ainsi idéale pour répondre aux besoins de la croissance exponentielle des données dans un large éventail de segments de marché.

« La nouvelle mémoire flash 3D démontre les avantages de notre solide partenariat avec KIOXIA et de notre leadership combiné en matière d'innovation », déclare Alper Ilkbahar, vice-président principal de la technologie et de la stratégie chez Western Digital. « En travaillant avec une feuille de route commune et en continuant à investir dans la recherche et le développement, nous avons été en mesure de produire cette technologie fondamentale plus tôt que prévu et de fournir des solutions performantes et économes en capital. »

KIOXIA et Western Digital ont réduit les coûts en mettant en place plusieurs procédés et architectures originaux, ce qui leur a permis de réaliser des progrès continus en matière de mise à l'échelle latérale. Cet équilibre entre la mise à l'échelle verticale et latérale permet d'obtenir une plus grande capacité dans une matrice plus petite, avec moins de couches, à un coût optimisé. Les entreprises ont également mis au point la technologie révolutionnaire CBA (CMOS directly Bonded to Array), dans laquelle les plaquettes CMOS et les plaquettes de réseau cellulaire sont fabriquées séparément dans des conditions optimales, puis collées ensemble pour obtenir une meilleure densité de bits et une vitesse d'entrée/sortie NAND rapide.

« Grâce à notre partenariat d'ingénierie unique, nous avons réussi à lancer la huitième génération de BiCS FLASHTM avec la densité de bits la plus élevée de l'industrie », déclare Masaki Momodomi, directeur de la technologie chez KIOXIA Corporation. « Je suis heureux que les envois d'échantillons de la part KIOXIA vers un nombre limité de clients aient commencé. En appliquant la technologie CBA et les innovations de mise à l'échelle, nous avons fait progresser notre portefeuille de technologies de mémoire flash 3D, en vue d'une utilisation dans une gamme d'applications centrées sur les données, notamment les smartphones, les appareils IoT et les centres de données. »

La mémoire flash 3D à 218 couches s'appuie sur des cellules triple niveau (TLC) et quadruple niveau (QLC) de 1 Tbit avec quatre plans, et présente une technologie innovante de rétrécissement latéral pour augmenter la densité de bits de plus de 50 %. Ses entrées/sorties NAND à grande vitesse de plus de 3,2 Gbit/s, soit une amélioration de 60 % par rapport à la génération précédente, associées à une amélioration de 20 % des performances d'écriture et de la latence de lecture, accéléreront les performances globales et la facilité d'utilisation pour les utilisateurs.

www.kioxia.com

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