ROHM fabrique des HEMT GaN 650V avec des performances de pointe

ROHM a commencé la production de masse des HEMT GaN 650V GNP1070TC-Z et GNP1150TCA-Z, développés conjointement avec Ancora Semiconductors.

L’amélioration de l’efficacité des alimentations électriques et des moteurs, qui représentent la majeure partie de la consommation mondiale d’électricité, est devenue un obstacle important à la réalisation d’une société décarbonée. L’adoption de nouveaux matériaux tels que le GaN et le SiC est essentielle pour améliorer l’efficacité des alimentations électriques.

Après avoir lancé en mars 2023 la production en série des composants GaN 150V HEMT, présentant une tension de claquage de grille de 8 V en 2022, ROHM a établi une technologie de circuit intégré de contrôle pour maximiser les performances du GaN. Cette fois, ROHM a mis au point des composants GaN 650V HEMT présentant des performances de pointe qui contribuent à un meilleur rendement et à une taille moindre dans une gamme plus large de systèmes d’alimentation électrique.

Le GNP1070TC-Z et le GNP1150TCA-Z fournissent des performances à la pointe de l’industrie en termes de RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss, un facteur de mérite pour les GaN HEMT, ce qui se traduit par une plus grande efficacité dans les systèmes d’alimentation électrique. En même temps, un élément de protection ESD intégré améliore la résistance à la rupture électrostatique jusqu’à 3,5 kV, ce qui accroît la fiabilité de l’application. Les caractéristiques de commutation à grande vitesse des GaN HEMT contribuent également à une miniaturisation accrue des composants périphériques.

ROHM continue d’améliorer les performances des appareils grâce à sa gamme EcoGaN™ d’appareils au GaN qui contribuent à une miniaturisation et des économies d’énergie plus poussées. Tout en développant des produits ROHM, nous encouragerons également le développement conjoint par le biais de partenariats stratégiques afin de contribuer à la résolution de problèmes sociaux en rendant les applications plus efficaces et plus compactes.

EcoGaN™
Se réfère à la nouvelle gamme d’appareils au GaN de ROHM. Ils contribuent à la conservation de l’énergie et à la miniaturisation en maximisant les caractéristiques du GaN, en vue de réduire la consommation d’énergie des applications, de diminuer la taille des composants périphériques et de simplifier les conceptions en réduisant le nombre de pièces.

Exemples d’applications
Idéal pour une large gamme de systèmes d’alimentation électrique dans les équipements industriels et les appareils grand public, y compris les serveurs et les adaptateurs AC.

Ancora Semiconductors Inc
Une filiale de Delta Electronics, un fournisseur mondial de solutions de gestion thermique et de puissance. Ancora a été créée en juillet 2022 et se concentre sur le développement d’appareils et de technologies GaN. Pour de plus amples informations, veuillez consulter : https://www.ancora-semi.com/EN.

Terminologie
GaN HEMT
Le GaN (nitrure de gallium) est un matériau semiconducteur composé utilisé dans les appareils d’alimentation de nouvelle génération. Il commence à être adopté en raison de ses propriétés supérieures à celles du silicium, telles que d’excellentes caractéristiques à haute fréquence. HEMT signifie High Electron Mobility Transistor (transistor à électron à haute mobilité).

RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss
Indice permettant d’évaluer les performances de commutation, où Ciss fait référence à la capacitance globale du côté de l’entrée et Coss du côté de la sortie. Plus cette valeur est basse, plus la vitesse de commutation est rapide et plus la perte pendant la commutation est faible.




ESD (décharge électrostatique)
Une surtension se produisant lorsque des objets chargés, tels que le corps humain et les équipements électroniques, entrent en contact les uns avec les autres. Ce type de surtension peut entraîner un dysfonctionnement ou la destruction de circuits et d’équipements.

www.rohm.com

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