Toshiba présente des diodes Schottky SiC de 650V avec une tension directe de 1,2V

Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) annonce le lancement de douze diodes Schottky (Schottky barrier diode, SBD) au carbure de silicium (SiC) de 650 V basées sur sa dernière technologie de 3ème génération. Ces nouveaux composants sont spécialement conçus pour être utilisés dans des applications d'équipements industriels critiques en termes d'efficacité, notamment les alimentations à découpage, les stations de recharge pour véhicules électriques (EV) et les onduleurs photovoltaïques (PV).

Sous le nom de série TRSxxx65H, ces composants utilisent un nouveau métal Schottky. La puce SiC SBD de troisième génération optimise la structure de barrière de la jonction Schottky (junction barrier Schottky, JBS) des produits de deuxième génération, abaissant ainsi le champ électrique à l'interface Schottky et réduisant le courant de fuite, ce qui permet d'améliorer l'efficacité.

Les composants de 3ème génération se caractérisent par une excellente basse tension directe (forward voltage, VF) de 1,2 V (typ.). Cela représente une réduction de 17 % par rapport aux produits de deuxième génération. Les nouveaux modèles de 3ème génération ont amélioré les compromis entre VF et charge capacitive totale (QC) qui est typiquement de 17 nC pour le TRS6E65H.

De plus, le rapport VF et courant inverse (IR) sont améliorés par rapport aux produits de deuxième génération, le TRS6E65H atteignant une valeur IR typique de 1,1 µA. Toutes ces améliorations réduisent la dissipation d'énergie et contribuent à accroître l'efficacité de l'équipement final.

Les composants de la série TRSxxx65H sont capables de supporter des courants continus directs (IF(DC)) jusqu'à 12A et des courants de surtension non répétitifs à onde carrée IFSM jusqu'à 640A. Sept des nouveaux composants sont logés dans des boîtiers TO-220-2L tandis que les cinq autres sont fournis dans des boîtiers DFN8 × 8 SMD compacts et plats.

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