Les nouveaux circuits intégrés d’étage de puissance EcoGaN de ROHM contribuent à une taille moindre et à des pertes plus faibles

Réduction du volume des composants de 99 % et de la perte de puissance de 55 % lors du remplacement des MOSFET au silicium.

Avec la série BM3G0xxMUV-LB, ROHM a développé des circuits intégrés d’étage de puissance en utilisant des HEMT 650 V au GaN intégrés et un Gate Driver. Ces appareils sont idéaux pour les alimentations primaires dans les applications industrielles et grand public, telles que les serveurs de données et les adaptateurs AC.




Depuis ces dernières années, les secteurs grand public et de l’industrie exigent davantage d’économies d’énergie pour parvenir à une société durable. Cependant, alors que l’on s’attend à ce que les HEMT au GaN contribuent de manière significative à une miniaturisation accrue et à une meilleure efficacité de conversion de puissance, la difficulté de manipulation de la grille par rapport aux MOSFET au silicium nécessite l’utilisation d’un pilote de grille dédié. Pour y répondre, ROHM a développé des circuits intégrés d’étage de puissance qui intègrent des HEMT au GaN et des pilotes de grille dans un seul boîtier en tirant parti de l’alimentation de base et des technologies analogiques, facilitant ainsi considérablement le montage.

De plus, la série BM3G0xxMUV-LB (BM3G015MUV-LB, BM3G007MUV-LB) intègre des fonctions supplémentaires et des composants périphériques conçus pour maximiser les performances des HEMT au GaN, ainsi que des HEMT 650 V au GaN : la nouvelle génération d’appareils d’alimentation. Et les caractéristiques de ROHM, telles qu’une large plage de tension de commande (2,5 V à 30 V), permettent une compatibilité avec pratiquement tous les circuits intégrés de commande dans les alimentations primaires, ce qui facilite le remplacement des MOSFET au silicium existants (Super Junction). Cela permet de réduire simultanément le volume des composants et la perte de puissance de respectivement environ 99 % et 55 %, réalisant ainsi un rendement supérieur dans une taille plus petite.

ISAAC LIN, directeur général de PSADC (Power Semiconductor Applications Development Center), Delta Electronics, Inc.
« Les appareils au GaN attirent beaucoup d’attention dans les industries en tant qu’appareil contribuant grandement à la miniaturisation et aux économies d’énergie des équipements.

Les nouveaux produits de ROHMont permis de réaliser une commande de grille sûre et à grande vitesse en utilisant la technologie analogique originale de ROHM. Ces produits favoriseront davantage l’utilisation des appareils d’alimentation au GaN, appelés à se développer. »







Gamme de produits
Une large plage de tension d’entraînement (2,5 V à 30 V), un temps de propagation court et un temps de démarrage rapide permettent une compatibilité avec pratiquement tous les circuits intégrés de contrôleur dans les alimentations principales.




Exemples d’applications
Optimisés pour les alimentations primaires (circuits AC-DC, PFC) dans de nombreuses applications.

Grand public : Appareils électroménagers, adaptateurs AC, PC, téléviseurs, réfrigérateurs, climatiseurs
Industrie : Serveurs, équipements bureautiques

Information ventes en ligne
Distributeurs : DigiKey, Mouser et Farnell Les produits et les cartes d’évaluation seront proposés par les distributeurs en ligne au fur et à mesure de leur disponibilité.
Date de lancement des ventes : juin 2023

Information de produit
Numéros de pièces applicables :
BM3G015MUV-LB, BM3G007MUV-LB

N° de pièce de cartes d’évaluation :
BM3G007MUV-EVK-002 (PFC240W)

BM3G007MUV-EVK-003

BM3G015MUV-EVK-003




EcoGaN™
Fait référence à la nouvelle gamme d’appareils au GaN de ROHM qui contribuent à la conservation de l’énergie et à la miniaturisation en maximisant les caractéristiques du GaN pour réduire la consommation d’énergie des applications, la taille des composants périphériques et simplifier les conceptions en utilisant moins de pièces.

www.rohm.com

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