Exposant sur le salon OPTRO 2024, Stand 19, HTDS présentera la gamme unique de photodiodes PIN en Silicium Noir de son partenaire ELFYS (Finlande)

Des photodiodes à l'efficacité exceptionnelle dans l'ultraviolet et à la sensibilité idéale dans une large gamme spectrale !.

Présente dans de nombreux domaines, l’optoélectronique est devenue incontournable aussi bien dans les produits « grand public » que spécialisés. Les composants optoélectroniques permettent à leurs utilisateurs d’aller au-delà des limites imposées par l’œil. Les détecteurs optoélectroniques comme les photodiodes (mesure de lumière) regroupent les composants sensibles à la lumière et à une variation d’intensité.

En commercialisant les nouvelles photodiodes PIN "BLACK SILICON" développées par son partenaire ELFYS, HTDS renforce son offre en matière d'optoélectronique avec une solution d’avant-garde dans le domaine de la détection photonique.

Bénéficiant des dernières avancées de la recherche et véritable innovation, les nouvelles photodiodes "BLACK SILICON" sont constituées en silicium ayant subi une modification de surface permettant une faible réflectivité et une très forte absorption de la lumière incidente, en d'autres termes elles offrent une très forte efficacité de détection dans le visible et une exceptionnelle sensibilité dans l’Ultra-Violet.

Cette technologie, découverte dans les années 80 est d'ailleurs devenue un atout majeur pour l'industrie solaire photovoltaïque. Aujourd'hui, HTDS propose ces photodiodes issues de cette technologie pour des domaines comme l'imagerie X, la spectroscopie ou des applications dans les secteurs de la défense et de la sécurité.




Les photodiodes PIN « BLACK SILICON » ont la particularité d'être nano-structurées, ce qui a l'avantage de piéger le flux de lumière incident pour une meilleure efficacité quantique jusqu'à atteindre 100% dans l’UV. Leur efficacité de détection indépendante de l’angle d’incidence du flux lumineux en fait également un excellent composant pour la détection de la lumière ambiante.

De plus, la surface en silicium noir, combinée aux techniques de nano-structuration, améliore considérablement l'absorbance de la surface dans un angle de détection particulièrement large, et réduit d'autant la réflectance jusqu’à 1000 nm dans un angle de 60°. La réflectivité élevée du silicium, comprise généralement entre 20 et 30% pour une incidence quasi normale, est réduite à 5%. A l’échelle nanométrique, la surface se présente sous forme d’aiguille, permettant un changement continu de l’indice de réflexion de Fresnel et ainsi une meilleure absorption.

Déclinées en plusieurs variantes (PIN5sH,25sH et 100sH, et PIN5sM, 25sM et 100sM), les photodiodes “BLACK SILICON“ se révèlent idéales pour la détection des rayonnements ionisants. En outre, ces nouvelles photodiodes permettent un design plus simple du spectromètre grâce à leurs performances de détection accrues.

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