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Microchip étend ses solutions à base de carbure de silicium de la famille mSiC™ en y ajoutant le « Gate Driver » mSiC Plug-and-Play XIFM 3,3 kV afin d’accélérer l’adoption des modules d’alimentation SiC haute tension

Le gate driver plug-and-play XIFM 3,3 kV, hautement intégré, est conçu pour une utilisation immédiate avec des modules d’alimentation basés sur des SiC haute tension pour simplifier l’intégration des systèmes haute vitesse.

Microchip étend ses solutions à base de carbure de silicium de la famille mSiC™ en y ajoutant le « Gate Driver » mSiC Plug-and-Play XIFM 3,3 kV afin d’accélérer l’adoption des modules d’alimentation SiC haute tension

L’électrification globale pousse à l’adoption généralisée de la technologie au carbure de silicium (SiC) sur les applications de moyenne à haute tension, telles que les transports, les réseaux électriques et les véhicules lourds. Pour aider les développeurs à mettre en œuvre les solutions SiC et à accélérer le processus de développement, Microchip Technology (Nasdaq : MCHP) lance ce jour le Gate Driver mSiC plug-and-play XIFM 3,3 kV doté de la technologie « Augmented Switching™ » conçue pour une utilisation immédiate, avec des paramètres de module préconfigurés pour réduire significativement le temps de conception et d’évaluation.

Pour accélérer les délais de commercialisation, le travail de développement complexe de conception, de vérification et de qualification d’un circuit type « gate driver » est déjà réalisé grâce à cette solution clé en main. Le mSIC™ XIFM est une solution compacte intégrant des commandes numériques, une alimentation et une solide interface en fibre optique qui améliore l’immunité contre le bruit. Ce Gate Driver est préconfiguré en mode de commande « allumé/éteint », conçu sur mesure pour optimiser les performances du module.

Il est doté d’une isolation renforcée entre le circuit primaire et secondaire 10,2 kV, intégrant des fonctions de surveillance et de protection, dont la surveillance de la température et du lien DC, le verrouillage en cas de sous-tension (UVLO), le verrouillage en cas de surtension (OVLO), la protection en cas de court-circuit/surintensité (DESAT) et un coefficient de température négative (NTC). Le mSICTM XIFM est également conforme à la norme EN 50155, une spécification essentielle pour les applications ferroviaires.

« À mesure que le marché du carbure de silicium grossit et repousse les limites des tensions élevées, Microchip facilite l'adoption des technologies à large bandgap par les développeurs de systèmes d’alimentation grâce à des solutions clé en main telles que notre gate driver mSiC plug-and-play 3,3 kV », explique Clayton Pillion, vice-président du département du carbure de silicium chez Microchip. « Grâce à la pré-configuration du circuit, cette solution peut réduire la durée de cycle du système de jusqu’à 50 % par rapport à une solution analogique traditionnelle. »

Avec plus de 20 ans d’expérience dans le développement, la conception, la fabrication et le support technique des composants et solutions d’alimentation SiC, Microchip aide les clients à adopter les SiC avec simplicité, rapidité et confiance. Les produits mSiC™ offrent les coûts système les plus bas, les meilleurs délais de commercialisation, et les risques les plus faibles. Les solutions de Microchip comprennent le plus vaste et le plus flexible portefeuille du marché de MOSFET, diodes et pilotes de grilles SiC. Pour plus d’informations sur le portefeuille SiC de Microchip, veuillez suivre ce lien.

www.microchip.com

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