Toshiba présente une paire de MOSFET automobiles à canal N pour élargir sa gamme

Les nouveaux composants au boîtier L-TOGL™ offrent d'excellentes performances thermiques.

Toshiba Electronics Europe GmbH a lancé deux dispositifs MOSFET de puissance à canal N pour l'automobile afin de répondre à la demande croissante de batteries et de systèmes 48 V dans les applications automobiles, notamment les onduleurs, les relais à semi-conducteurs, les commutateurs de charge, les moteurs et plus encore.

Le secteur automobile a besoin de semi-conducteurs de puissance offrant des niveaux élevés de fiabilité, associés à des courants de drain (ID) élevés et à une excellente dissipation thermique. Cela est particulièrement vrai pour les dispositifs utilisés dans les onduleurs de traction, les systèmes de gestion de batterie et les boîtes de jonction des véhicules électriques (EV) et des générateurs à démarreur intégré (integrated starter generators, ISG).

Les nouveaux XPQR8308QB 80 V et XPQ1R00AQB 100 V sont basés sur le nouveau processus U-MOS X-H de Toshiba. Cela permet d'obtenir de faibles niveaux de résistance à l'état passant (RDS(ON)). Le XPQR8308QB mesure moins de 0,83 mΩ tandis que le XPQ1R00AQB ne dépasse pas 1,03 mΩ. Les appareils sont conçus pour des valeurs ID de 350 A (XPQR8308QB) et 300 A (XPQ1R00AQB) en continu avec des valeurs pulsées (IDP) de 1050 A et 900 A respectivement.

Pour soutenir ces faibles valeurs, le boîtier L-TOGL™ adopte une structure de leadframe épaisse à base de clips en cuivre (Cu) qui connecte thermiquement et électriquement la puce du MOSFET aux fils du boîtier. Ainsi la résistance du boîtier est réduite d'environ 70% et l'impédance thermique canal-boîtier (Zth(ch-c)) de 50% par rapport au boîtier TO-220SM(W). Ensemble, le processus et le clip diminuent les pertes et la génération de chaleur tout en constituant une solution très efficace sur le plan thermique.

De plus, le boîtier L-TOGL utilise des fils en forme d'aile de mouette conformes qui minimisent les contraintes de montage et améliorent la fiabilité des joints de soudure. Il contribue à garantir la fiabilité de l'ECU dans les applications automobiles soumises à des conditions de température difficiles. Les deux composants sont qualifiés AEC-Q101 pour les applications automobiles.

Les MOSFET sont souvent connectés en parallèle pour augmenter la capacité de courant, en particulier dans les applications automobiles. Pour être efficaces, les spécifications des MOSFET doivent être étroitement adaptées, c'est pourquoi Toshiba propose de livrer des dispositifs groupés à 0,4 V près en fonction de leur tension de seuil de grille.

Toshiba offre désormais quatre MOSFET logés dans le boîtier innovant L-TOGL, incluant les deux produits 40 V existants de Toshiba, XPQ1R004PB et XPQR3004PB, ainsi que les produits annoncés aujourd'hui. Toshiba propose des produits adaptés aux applications automobiles qui nécessitent de plus en plus de courants forts, une densité de puissance élevée et d'excellents niveaux de robustesse.

www.toshiba.semicon-storage.com

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