Toshiba lance des MOSFET de puissance dotés de diode de corps à haute vitesse qui contribuent à améliorer l'efficacité des alimentations électriques
Des nouveaux ajouts à la série DTMOS VI de dernière génération avec structure de super jonction.
Toshiba Electronics a lancé une nouvelle gamme de MOSFET de puissance à canal N de 650 V. Les TK042N65Z5 et TK095N65Z5 en boîtier TO-247 sont les premiers produits de type diode à haute vitesse (high-speed diode, HSD) de la série DTMOS VI de dernière génération. Cette génération présente une structure à super jonction adaptée aux alimentations à découpage pour les applications exigeantes, notamment les centres de données et les conditionneurs d'énergie pour les générateurs photovoltaïques (PV).
Les deux nouveaux MOSFET de puissance utilisent des diodes intrinsèques à grande vitesse pour optimiser les caractéristiques de récupération inverse qui sont importantes afin d'améliorer les applications de circuits en pont et les onduleurs. Par rapport aux produits DTMOS VI standard, les TK042N65Z5 et TK095N65Z5 affichent une réduction de 65 % du temps de récupération inverse (reverse recovery time, trr) avec des valeurs de 160 ns et 115 ns respectivement. Par rapport aux MOSFET standard de Toshiba, les nouveaux produits réduisent la charge de récupération inverse (reverse recovery charge, Qrr) de 88 % et le courant de coupure du drain à haute température de 90 % (TK042N65Z5).
De plus, le facteur de mérite (FoM), autrement dit la caractéristique clé correspondant à « résistance à l'activation drain-source × charge de drain de grille » (RDS(ON) * Qgd), a sa valeur qui est réduite d'environ 72 % par rapport au TK62N60W5 existant de Toshiba. Ces améliorations significatives diminuent les pertes de puissance des équipements, ce qui accroit leur efficacité. Par exemple, dans un circuit LLC de 1,5 kW, le TK042N65Z5 présente une amélioration d'environ 0,4 % de l'efficacité de l'alimentation par rapport au précédent TK62N60W5.
Les nouveaux TK042N65Z5 et TK095N65Z5 ont des valeurs RDS(ON) de 42 mΩ et 95 mΩ, respectivement. Ils peuvent fournir des courants de drain (ID) atteignant 55 A et 29 A. Les deux composants sont logés dans un petit boîtier TO-247.
Une nouvelle conception référence pour une alimentation de serveur améliorée de 1,6 kW est désormais disponible, sur la base du nouveau dispositif TK095N65Z5. Toshiba propose également des outils pour la conception de circuits pour les alimentations à découpage. Parallèlement au modèle G0 SPICE, qui vérifie le fonctionnement du circuit en peu de temps, des modèles G2 SPICE très précis, qui reproduisent avec exactitude les caractéristiques transitoires, sont désormais disponibles.
En plus des produits DTMOS VI 650 V et 600 V déjà commercialisés, Toshiba continuera d'élargir sa gamme de DTMOS VI avec des diodes à haute vitesse pour améliorer l'efficacité de l'alimentation à découpage, contribuant ainsi aux économies d'énergie.
Pour en savoir plus sur les nouveaux MOSFET de puissance canal N de 650 V, consultez le site Web de Toshiba:
www.toshiba.semicon-storage.com
