TTI Europe propose le transistor MOSFET de puissance série E 600 V de Vishay dans le boitier PowerPAK® 8 x 8LR
Nouveau boîtier compact MOSFET offrant une capacité thermique, un fort courant et une puissance élevée.
TTI IP&E - Europe, leader spécialisé dans la distribution de composants électroniques, compte désormais dans ses stocks les MOSFET de puissance série E 600 V SiHR080N60E 4e génération de Vishay. Disponible dans un nouveau boîtier PowerPAK® 8 x 8LR, ce composant fournit une efficacité et une puissance élevées pour les télécommunications, l’industrie et l’informatique.
« Les applications des clients requièrent une efficacité et une densité de puissance accrue avec des composants plus petits, et nous sommes ravis de pouvoir répondre à leur demande avec ce nouveau composant qui dévoile des puissances nominales plus élevées que le D2PAK », déclare Markus Walz, Business Development Manager Europe, TTI Inc.
Le composant SiHR080N60E affiche le plus bas FOM du secteur, permettant de réduire les pertes de conductivité et de commutation pour économiser l’énergie et donc gagner en efficacité. Le boîtier offre aussi une connexion Kelvin pour des caractéristiques de commutation améliorées.
Grâce à son refroidissement par le haut du boitier et une résistance thermique jonction-boîtier (drain) extrêmement faible (Rthjc) de seulement 0,25 °C/W, la capacité thermique est excellente et 2,25 fois supérieure à celle du D2PAK. La forme « gullwing » assure en outre une excellente résistance aux cycles de température, dépassant les 1 000 cycles.
Le SiHR080N60E ne mesure que 10,2 mm x 7,9 mm x 1,6 mm et le boîtier PowerPAK 8 x 8LR possède un encombrement 52 % plus petit que celle du D2PAK et 36 % pour la hauteur : les ingénieurs gagneront ainsi de la place.
Par ailleurs, le boîtier PowerPAK 8 x 8LR fournit un courant 45 % plus élevé que le D2PAK pour le même niveau de résistance RDS(on), ce qui permet d’accroître grandement la puissance nominale et la densité de puissance.
Conçu avec un facteur de correction de puissance (PFC) et des convertisseurs DC/DC, le SiHR080N60E convient aux solutions d’alimentation de 3 kW dans diverses applications (serveurs, l’informatique haut niveau, super ordinateurs et les datas center, onduleurs, télécommunications, convertisseurs solaire, servo-moteur, chargeurs de batterie).
Ce composant est conforme RoHS et sans halogène ; il est conçu pour résister à des surtensions transitoires en mode cascade avec des limites garanties par des tests UIS 100 %.
« Chez TTI, nous travaillons en étroite collaboration avec nos partenaires de confiance pour fournir à nos clients des composants électroniques dernier cri qui prennent en charge toutes les étapes du process de conversion d’énergie, afin de faire progresser leurs produits », conclut Markus. « Ce nouveau MOSFET rejoint notre large gamme de produits Vishay. Les clients ont ainsi accès à une large gamme de composants pour tous leurs besoins sous un seul et même toit. »
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