Un nouvel e-book de Mouser Electronics et onsemi met en évidence les avantages de l’électronique de puissance à base de carbure de silicium
Mouser Electronics, Inc, distributeur mondial agréé des composants électroniques et produits d’automatisation industrielle les plus récents, annonce aujourd’hui un nouvel e-book en collaboration avec onsemi, explorant l’utilisation des semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) pour la conception de systèmes de puissance.
Les dispositifs en carbure de silicium révolutionnent l’électronique de puissance grâce à leurs propriétés matérielles supérieures, permettant de créer des systèmes d’alimentation plus efficaces, plus compacts et plus durables. Dans Enabling a Sustainable Future with Silicon Carbide Power Electronics, onsemi explore les avantages du SiC, ses applications dans les véhicules électriques et les énergies renouvelables, et l’importance de choisir le bon partenaire SiC. Fournisseur de confiance de solutions de puissance, onsemi offre des dispositifs SiC de haute qualité, une chaîne d’approvisionnement fiable et un support de conception complet.
L’e-book comprend des liens pratiques vers certains produits de puissance d’onsemi, tels que le MOSFET EliteSiC NTBG014N120M3P. Le NTBG014N120M3P est un MOSFET SiC planaire 1 200 V M3P optimisé pour les applications de puissance. La technologie planaire fonctionne de manière fiable avec des tensions de grille négatives et élimine les pointes sur la grille. Ce dispositif est idéal pour une utilisation dans les onduleurs solaires, les stations de recharge de véhicules électriques, les systèmes de stockage d’énergie et les alimentations à découpage.
Le MOSFET EliteSiC NVBG1000N170M1, également disponible auprès de Mouser, est un composant planaire M1 de 1 700 V optimisé pour les applications à commutation rapide. Ce composant est qualifié AEC-Q101 et compatible PHPP, ce qui le rend idéal pour une utilisation dans les véhicules électriques et les véhicules électriques hybrides. Dans les véhicules électriques et hybrides, les avantages des composants SiC se traduisent par des solutions d'alimentation plus petites, plus légères et plus efficaces. Moins d'énergie est gaspillée, ce qui permet de réduire le nombre de batteries coûteuses nécessaires.
Le pilote de grille NCP51705 est conçu pour piloter principalement des transistors MOSFET SiC. Pour obtenir les pertes de conduction les plus faibles possibles, le circuit d’attaque est capable de fournir la tension de grille maximale autorisée au dispositif MOSFET SiC. En fournissant un courant de pointe élevé lors de l’allumage et de l’extinction, les pertes de commutation sont minimisées.
Le pilote de grille à double canal isolé NCP51560 est conçu pour une commutation rapide afin de piloter des commutateurs de puissance MOSFET SiC. Deux canaux indépendants de commande de grille isolés galvaniquement peuvent être utilisés dans toutes les configurations possibles de deux commutateurs côté bas, deux commutateurs côté haut ou une commande en demi-pont avec temps mort programmable. Le NCP51560 offre d’autres fonctions de protection importantes, telles que le verrouillage indépendant en cas de sous-tension pour les deux pilotes de grille.
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