Les nouvelles diodes Shottky SiC de 1200 V de Toshiba atteignent une faible tension directe typique de 1,27 V
10 nouveaux composants de puissance 1200 V à trous traversants de troisième génération pour réduire les pertes d’énergie dans les équipements industriels.
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Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») enrichit sa gamme de diodes en carbure de silicium (SiC) avec dix nouvelles diodes Schottky (Schottky barrier diode, SBD) de 1200 V. La série TRSxxx120Hx, composée de cinq produits en boîtiers TO-247-2L et de cinq en boîtiers TO-247, aide les concepteurs à améliorer l'efficacité des équipements industriels, notamment les onduleurs photovoltaïques (PV), les bornes de recharge pour véhicules électriques (VE) et les alimentations à découpage.
En mettant en œuvre une structure améliorée de la barrière de jonction Schottky (junction barrier Schottky, JBS), la série TRSxxx120Hx permet une très faible tension directe (VF) de seulement 1,27 V (typ). La caractéristique Schottky à PIN fusionnées (Merged PIN-Shottky, MPS) incorporée dans une structure JBS réduit les pertes d’énergie dans des conditions de courant élevé. Le TRS40N120H de la nouvelle série accepte un courant continu direct (IF(DC)) de 40 A (max) et un courant de surtension direct de pointe non répétitif (IFSM) de 270 A (max), le tout pour une température de boîtier maximale (TC) des composants de +175 °C.
En alliant une charge capacitive réduite et un courant de fuite plus faible, ces composants contribuent à améliorer l'efficacité du système et à simplifier la conception thermique. Par exemple, à une tension inverse (VR) de 1200 V, la diode TRS20H120H logée dans le boîtier TO-247-2L fournit une charge capacitive totale (QC) de 109 nC et un courant inverse (IR) de 2 µA.
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