Les échantillons de mémoire flash de 512 Gb prêts à être livrés
Kioxia Europe a commencé la livraisons d’échantillons des mémoires à cellules à trois niveaux (TLC, Triple-Level Cell) de 512 Gb qui mettent en œuvre sa technologie de mémoire flash BiCS FLASH 3D de 9e génération. Leur production en volume va démarrer au cours de l’exercice 2025.
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Ces mémoires sont conçues pour prendre en charge des applications nécessitant des performances élevées et une grande efficacité énergétique, pour des capacités de stockage de bas à moyen niveau. Ils seront également intégrés dans les disques SSD d’entreprise de Kioxia, en particulier ceux qui visent à maximiser l’efficacité des GPU dans les systèmes d’IA.
La nouvelle mémoire flash TLC 512 Gb BiCS FLASH™ de 9e génération, fabriquée avec un empilement de 120 couches, repose sur la technologie BiCS FLASH™ de 5e génération et le CMOS avancé. Elle présente selon son fabricant des améliorations notables en terme de performances par rapport aux versions⁴ précédentes BiCS FLASH de capacité équivalente.
- Performances en écriture : amélioration de 61 %
- Performances en lecture : amélioration de 12 %
- Efficacité énergétique : amélioration de 36 % lors des opérations d’écriture et de 27 % lors des opérations de lecture
- Vitesse de transfert de données : l'interface Toggle DDR6.0 offre des performances d'interface NAND à un débit de 3,6 Gb/s
- Densité de bits : augmentée de 8 % grâce à des progrès en miniaturisation planaire
De plus, Kioxia a démontré que la mémoire TLC 512 Gb fonctionne à des vitesses d’interface NAND allant jusqu’à 4,8 Gb/s dans des conditions spécifiques.
Kioxia déploie une stratégie de développement reposant sur deux axes principaux :
- Produits BiCS FLASH™ de 9e génération qui visent à offrir des performances élevées à des coûts de production réduits grâce à la technologie CBA (CMOS directement lié à la matrice)², qui combine les cellules mémoire existantes à la technologie CMOS la plus récente.
- Produits BiCS FLASH™ de 10e génération qui intègrent un nombre de couches mémoire plus élevé afin de répondre à la demande croissante de solutions à haute capacité et haute performance.
