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Rohde & Schwarz

Rohde & Schwarz présente la nouvelle génération de solutions pour les tests Bluetooth® Low Energy jusqu'à la version 5.2

Le Bluetooth Special Interest Group (Bluetooth SIG) a adopté fin 2019 les premières spécifications de la version du Bluetooth® Low Energy (BLE 5.2). Cela concerne dans un premier temps les nouvelles fonctions de contrôle de puissance.

WAGO News

La Clé Pour Plus D'efficacité

Concept de bâtiment intégratif : Lanfer Automation harmonise les différents systèmes des corps de métiers - et utilise à cet effet le SYSTÈME d'E/S WAGO 750.

B&R Automation France

Terminal opérateur pour applications haut de gamme

B&R étend la série T des Power Panel en y ajoutant le puissant terminal opérateur T80. Doté d'un processeur Intel Atom haute performance, ce terminal opérateur permet de réaliser des visualisations web riches et dynamiques. Sa face avant esthétique en verre se marie bien avec les designs de machine haut de gamme.

WAGO News

Technologie De Raccordement Pour La Zone Ex

La borne de raccordement Compact de la série 221 pour zone Ex offre de toutes nouvelles possibilités de conception, notamment pour les fabricants de boîtes de dérivation, de boîtes de jonction, de luminaires ou d'appareils électroniques.

Schneider Electric News

Tanishq se dote des solutions Edge Computing de Schneider Electric afin d’atteindre de nouveaux objectifs d’efficacité énergétique

Schneider Electric, le leader de la transformation numérique de la gestion de l’énergie et des automatismes, soutient Tanishq, la célèbre marque indienne de bijoux du groupe Titan, dans son engagement en matière d’efficacité énergétique.

ST News

STMicroelectronics et TSMC collaborent afin d’accélérer l’adoption par le marché des produits à base de nitrure de gallium (GaN)

STMicroelectronics (NYSE : STM), un leader mondial des semiconducteurs dont les clients couvrent toute la gamme des applications électroniques, et TSMC (TWSE : 2330 et NYSE : TSM), le plus grand fondeur de semiconducteurs au monde, annoncent leur collaboration en vue d’accélérer le développement du procédé technologique en nitrure de gallium (GaN) et la livraison de composants discrets et de circuits intégrés en GaN pour les besoins du marché.

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