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Renesas News

Renesas Electronics Corporation, fondée en 2010 et dont le siège social est situé à Tokyo, Japon, est l'un des principaux fournisseurs de solutions de semi-conducteurs avancées, notamment de microcontrôleurs (MCU), de microprocesseurs (MPU), de composants analogiques et de composants de puissance. Au service d'industries telles que l'automobile, l'automatisation industrielle, l'électronique grand public et les technologies de l'information et de la communication (TIC), Renesas propose des produits performants, écoénergétiques et sécurisés qui stimulent l'innovation dans un monde connecté. L'engagement de l'entreprise en faveur de la recherche et du développement lui permet de fournir des solutions intégrées qui améliorent les performances des systèmes et leur fiabilité. Avec une présence mondiale, Renesas collabore étroitement avec ses clients pour répondre à leurs divers besoins technologiques.

  www.renesas.com

Le Nouveau Composant d'Alimentation Intelligent Automobile de Renesas permet une Distribution d'Alimentation Sûre et Flexible dans les Architectures E/E de Nouvelle Génération

Renesas, l'un des principaux fournisseurs de solutions de semi-conducteurs avancées, a annoncé aujourd'hui un nouveau composant d'alimentation intelligent (IPD) automobile qui contrôlera de manière sûre et flexible la distribution d'énergie dans les véhicules, répondant aux exigences des architectures E/E (électriques/électroniques) de nouvelle génération.

Le nouveau générateur d'horloge programmable de Renesas offre la meilleure combinaison de capacité à être programmé, de puissance, de gigue et de taille de l'industrie

Les nouveaux appareils VersaClock® 7 du leader de solutions d’horloge permettent aux utilisateurs de configurer les fréquences, les niveaux d'E/S et les broches GPIO ; Disponible dans des boîtiers peu encombrants pour réduire l'espace sur la carte.

RENESAS DÉVOILE LES IGBT SI DE NOUVELLE GÉNÉRATION POUR LES ONDULEURS DE VÉHICULES ELECTRIQUES

Renesas Electronics Corporation, l'un des principaux fournisseurs de solutions avancées de semi-conducteurs, a annoncé le développement d'une nouvelle génération de Si-IGBT (Silicon Insulated Gate Bipolar Transistors) qui seront proposés dans un faible encombrement tout en offrant de faibles pertes de puissance.

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