Accord de collaboration avec Rohm sur les semi-conducteurs SiC
Infineon et Rohm ont signé un protocole d'accord afin de devenir mutuellement une source d’approvisionnement secondaire pour les clients utilisant certains semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium (SiC).
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Infineon Technologies et Rohm ont signé un protocole d'accord pour collaborer sur des boîtiers destinés aux semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium (SiC) utilisés dans des applications telles que les chargeurs embarqués, le photovoltaïque, les systèmes de stockage d'énergie et les centres de données d'IA. Plus précisément, les partenaires souhaitent s'associer mutuellement pour fournir des boîtiers sélectionnés pour les dispositifs de puissance SiC afin d’offrir à leurs clients une plus grande flexibilité dans leurs processus de conception et d'approvisionnement. À l'avenir, ces derniers pourront s'approvisionner en boîtiers compatibles auprès d'Infineon et de Rohm. Cette collaboration vise à optimiser la compatibilité et l’interchangeabilité pour répondre aux besoins spécifiques de leurs clients.
« Notre collaboration permettra à nos clients de développer des applications plus économes en énergie et de contribuer ainsi à la décarbonation », souligne Dr Peter Wawer, président de la division Green Industrial Power chez Infineon.
Dans le cadre de cet accord, Rohm adoptera la plateforme de refroidissement par le haut d'Infineon pour les composants SiC, incluant les boîtiers TOLT, D-DPAK, Q-DPAK, Q-DPAK double et H-DPAK. Cette plateforme présente une hauteur standardisée de 2,3 mm pour tous les boîtiers. Ce qui permet de simplifier la conception et réduire les coûts de refroidissement du système, tout en permettant une meilleure utilisation de l'espace disponible sur la carte électronique et obtenir une densité de puissance jusqu'à deux fois supérieure.
Parallèlement, Infineon adoptera le boîtier DOT-247 de Rohm avec une configuration demi-pont SiC pour développer un boîtier compatible. Cela permettra d'élargir la gamme d'IGBT Double TO-247 récemment annoncée par Infineon aux solutions demi-pont SiC. Le boîtier DOT-247 de Rohm offre une densité de puissance supérieure et simplifie le processus d’assemblage par rapport aux boîtiers discrets standard. Doté d'une structure intégrant deux boîtiers TO-247, il permet de réduire la résistance thermique d'environ 15 % et l'inductance de 50 % par rapport au boîtier TO-247. Il offre ainsi une densité de puissance 2,3 fois supérieure à celle du boîtier TO-247.
Infineon et Rohm envisagent d'étendre leur collaboration à d'autres boîtiers intégrant à la fois le silicium et des technologies d'alimentation à large bande interdite, telles que le SiC et le nitrure de gallium (GaN).
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