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Le MOSFET 100 V rehausse ses performances
Le MOSFET de la série TPH2R70AR5 améliore plusieurs de ses caractéristiques pour gagner en vitesse de commutation et réduire les pertes.
www.global.toshiba
Toshiba Electronics Europe propose le MOSFET de puissance à canal N de 100 V de la série TPH2R70AR5, fabriqué selon son procédé de dernière génération, appelé U-MOS11-H. Ce MOSFET est notamment destiné aux alimentations à découpage (switched-mode power supply, SMPS), tels que les convertisseurs DC-DC à haut rendement.
Grâce au procédé U-MOS11-H 100 V, ce circuit présente selon Toshiba des performances nettement supérieures à celles des composants fabriqués avec le procédé U-MOSX-H existant. Par exemple, par rapport au précédent modèle de la série TPH3R10AQM, la résistance drain-source à l'état passant (RDS(ON)) a été réduite d'environ 8 % pour atteindre seulement 2,7 mΩ (max.) tandis que la charge grille-drain (Qg) est désormais inférieure de 37 % à 52 nC (typ.). Le facteur de mérite (figure-of-merit, FoM) RDS(ON) x Qg est ainsi amélioré de 42 %.
De plus, le modèle TPH2R70AR5 présente des performances de diode à haute vitesse grâce à une technologie de contrôle de durée de vie. En conséquence, par rapport au modèle TPH3R10AQM, la vitesse de commutation est améliorée. De plus, le temps de récupération et le bruit de la diode sont réduits. La technologie de contrôle de durée de vie diminue également la charge de récupération inverse (Qrr) à 55 nC (typ.) et supprime les pics de tension. La spécification FoM RDS(ON) x Qrr est amélioré d'environ 43 %.
Les caractéristiques des paramètres RDS(ON), Qg et Qrr réduisent à la fois les pertes par conduction et de commutation, contribuant ainsi à un meilleur rendement dans les applications de puissance. Cela diminue les coûts d'exploitation et permet d’obtenir une densité de puissance supérieure. Logé dans un boîtier SOP Advance (N) de 5,15 mm x 6,1 mm, ce composant offre une compatibilité de montage avec les normes industrielles.
Le nouveau composant de la série TPH2R70AR5 est conçu pour un courant de drain maximal (ID) de 190 A à une température ambiante de 25 °C. Il peut fonctionner avec une température de canal (Tch) allant jusqu'à 175 °C, réduisant ainsi les besoins en matière de refroidissement.
Toshiba propose également des outils d'aide à la conception de circuits : le modèle G0 SPICE, qui vérifie le fonctionnement des circuits, et les modèles G2 SPICE qui reproduisent fidèlement les caractéristiques transitoires.
www.toshiba.com
Grâce au procédé U-MOS11-H 100 V, ce circuit présente selon Toshiba des performances nettement supérieures à celles des composants fabriqués avec le procédé U-MOSX-H existant. Par exemple, par rapport au précédent modèle de la série TPH3R10AQM, la résistance drain-source à l'état passant (RDS(ON)) a été réduite d'environ 8 % pour atteindre seulement 2,7 mΩ (max.) tandis que la charge grille-drain (Qg) est désormais inférieure de 37 % à 52 nC (typ.). Le facteur de mérite (figure-of-merit, FoM) RDS(ON) x Qg est ainsi amélioré de 42 %.
De plus, le modèle TPH2R70AR5 présente des performances de diode à haute vitesse grâce à une technologie de contrôle de durée de vie. En conséquence, par rapport au modèle TPH3R10AQM, la vitesse de commutation est améliorée. De plus, le temps de récupération et le bruit de la diode sont réduits. La technologie de contrôle de durée de vie diminue également la charge de récupération inverse (Qrr) à 55 nC (typ.) et supprime les pics de tension. La spécification FoM RDS(ON) x Qrr est amélioré d'environ 43 %.
Les caractéristiques des paramètres RDS(ON), Qg et Qrr réduisent à la fois les pertes par conduction et de commutation, contribuant ainsi à un meilleur rendement dans les applications de puissance. Cela diminue les coûts d'exploitation et permet d’obtenir une densité de puissance supérieure. Logé dans un boîtier SOP Advance (N) de 5,15 mm x 6,1 mm, ce composant offre une compatibilité de montage avec les normes industrielles.
Le nouveau composant de la série TPH2R70AR5 est conçu pour un courant de drain maximal (ID) de 190 A à une température ambiante de 25 °C. Il peut fonctionner avec une température de canal (Tch) allant jusqu'à 175 °C, réduisant ainsi les besoins en matière de refroidissement.
Toshiba propose également des outils d'aide à la conception de circuits : le modèle G0 SPICE, qui vérifie le fonctionnement des circuits, et les modèles G2 SPICE qui reproduisent fidèlement les caractéristiques transitoires.
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