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La tension de coupure de l'IEGT grimpe à 4500 V
Toshiba Electronics présente l'IEGT press pack 6500V/2000A dont la tension de coupure passe de 3600V à 4500V par rapport à la génération précédente.
www.global.toshiba
Dans les systèmes de transmission en courant continu haute tension (HVDC), les entraînements industriels et les équipements de compensation de puissance réactive, les semi-conducteurs de puissance doivent supporter des tensions élevées et des courants de défaut tout en permettant des architectures compactes. Toshiba Electronics Europe présente un IEGT press pack 6500V/2000A destiné aux convertisseurs haute tension pour transmission DC, entraînements industriels et systèmes STATCOM.
Le dispositif intègre des puces IEGT de type trench à structure cellulaire optimisée afin d’améliorer la capacité de coupure et la tenue au court-circuit, répondant aux exigences d’efficacité énergétique et de compacité dans les infrastructures de forte puissance.
Augmentation de la tension de coupure et robustesse au court-circuit
La tension de coupure testée passe de 3600V à 4500V par rapport à la génération précédente. Des essais de court-circuit à 4500V ont confirmé l’aptitude du composant aux environnements à fortes contraintes électriques.
La structure trench améliore le comportement dynamique en commutation et la capacité de courant.
La tension nominale de 6500V permet de réduire le nombre de composants montés en série dans les architectures HVDC, simplifiant la topologie et diminuant la masse globale.
Cette réduction contribue à la miniaturisation des stations de conversion, notamment offshore.
Conception press pack pour fiabilité thermique et mécanique
La conception press pack assure un refroidissement double face et une étanchéité hermétique, garantissant robustesse mécanique et gestion thermique efficace.
Le composant convient aux systèmes HVDC, aux entraînements industriels haute tension et aux dispositifs STATCOM. La tension accrue permet des convertisseurs plus compacts.
www.toshiba.semicon-storage.com
Le dispositif intègre des puces IEGT de type trench à structure cellulaire optimisée afin d’améliorer la capacité de coupure et la tenue au court-circuit, répondant aux exigences d’efficacité énergétique et de compacité dans les infrastructures de forte puissance.
Augmentation de la tension de coupure et robustesse au court-circuit
La tension de coupure testée passe de 3600V à 4500V par rapport à la génération précédente. Des essais de court-circuit à 4500V ont confirmé l’aptitude du composant aux environnements à fortes contraintes électriques.
La structure trench améliore le comportement dynamique en commutation et la capacité de courant.
La tension nominale de 6500V permet de réduire le nombre de composants montés en série dans les architectures HVDC, simplifiant la topologie et diminuant la masse globale.
Cette réduction contribue à la miniaturisation des stations de conversion, notamment offshore.
Conception press pack pour fiabilité thermique et mécanique
La conception press pack assure un refroidissement double face et une étanchéité hermétique, garantissant robustesse mécanique et gestion thermique efficace.
Le composant convient aux systèmes HVDC, aux entraînements industriels haute tension et aux dispositifs STATCOM. La tension accrue permet des convertisseurs plus compacts.
www.toshiba.semicon-storage.com
