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Le capteur interférométrique mesure l'épaisseur des wafers en production
Micro-Epsilon propose un capteur interférométrique conçu pour la mesure d’épaisseur en ligne de tranche de silicium et de carbure de silicium dans des environnements industriels contraignants.
www.micro-epsilon.com
La mesure d’épaisseur des wafers en cours de fabrication constitue un enjeu clé dans les industries des semi-conducteurs et des matériaux avancés. Les procédés tels que le polissage à la boue (slurry polishing) génèrent des conditions difficiles, caractérisées par une forte charge particulaire et une exposition à l’humidité, susceptibles d’altérer la stabilité des mesures optiques.
Le capteur de la série IMP-NIR-TH3/90/IP68 est conçu pour fonctionner directement dans ces environnements. Son boîtier en acier inoxydable avec indice de protection IP68 permet une intégration en machine sans protection supplémentaire, y compris dans des zones exposées aux fluides et aux particules abrasives.
Stabilité de mesure grâce à un système optique protégé
Dans les procédés de polissage et de rodage, la propreté de l’optique est un facteur déterminant pour garantir la qualité du signal. Le capteur intègre un dispositif de soufflage d’air qui maintient l’optique dégagée des particules en continu. Ce mécanisme contribue à limiter les dérives de mesure et à assurer une acquisition stable des données pendant le processus.
Cette approche permet de maintenir la précision de mesure même dans des conditions où les capteurs optiques conventionnels nécessiteraient des interruptions fréquentes pour nettoyage ou recalibrage.
Intégration facilitée dans les espaces restreints
Le capteur se distingue par un guidage du faisceau à 90°, permettant une installation dans des configurations où l’accès axial est limité. Cette caractéristique est particulièrement pertinente pour les équipements compacts ou les zones de mesure difficiles d’accès.
Avec une distance de travail de 3 mm et un point lumineux de 15 µm de diamètre, le système permet des mesures localisées avec une haute résolution spatiale. Cette combinaison est adaptée aux applications nécessitant un contrôle précis de l’épaisseur directement dans le flux de production.
Adaptation aux matériaux complexes et fortement dopés
Le capteur fonctionne avec le contrôleur IMS5420, formant une solution de mesure interférométrique adaptée aux wafers fortement dopés. Dans ce type de matériaux, l’absorption optique peut affecter la qualité du signal, rendant nécessaire une technologie capable de maintenir un rapport signal/bruit élevé.
Cette configuration permet d’assurer une fiabilité de mesure compatible avec les exigences des procédés de fabrication de semi-conducteurs, notamment pour les applications impliquant le silicium et le carbure de silicium (SiC), utilisés dans l’électronique de puissance et les dispositifs haute performance.
Applications industrielles
Le capteur cible principalement les applications de fabrication de semi-conducteurs, en particulier :
Le capteur de la série IMP-NIR-TH3/90/IP68 est conçu pour fonctionner directement dans ces environnements. Son boîtier en acier inoxydable avec indice de protection IP68 permet une intégration en machine sans protection supplémentaire, y compris dans des zones exposées aux fluides et aux particules abrasives.
Stabilité de mesure grâce à un système optique protégé
Dans les procédés de polissage et de rodage, la propreté de l’optique est un facteur déterminant pour garantir la qualité du signal. Le capteur intègre un dispositif de soufflage d’air qui maintient l’optique dégagée des particules en continu. Ce mécanisme contribue à limiter les dérives de mesure et à assurer une acquisition stable des données pendant le processus.
Cette approche permet de maintenir la précision de mesure même dans des conditions où les capteurs optiques conventionnels nécessiteraient des interruptions fréquentes pour nettoyage ou recalibrage.
Intégration facilitée dans les espaces restreints
Le capteur se distingue par un guidage du faisceau à 90°, permettant une installation dans des configurations où l’accès axial est limité. Cette caractéristique est particulièrement pertinente pour les équipements compacts ou les zones de mesure difficiles d’accès.
Avec une distance de travail de 3 mm et un point lumineux de 15 µm de diamètre, le système permet des mesures localisées avec une haute résolution spatiale. Cette combinaison est adaptée aux applications nécessitant un contrôle précis de l’épaisseur directement dans le flux de production.
Adaptation aux matériaux complexes et fortement dopés
Le capteur fonctionne avec le contrôleur IMS5420, formant une solution de mesure interférométrique adaptée aux wafers fortement dopés. Dans ce type de matériaux, l’absorption optique peut affecter la qualité du signal, rendant nécessaire une technologie capable de maintenir un rapport signal/bruit élevé.
Cette configuration permet d’assurer une fiabilité de mesure compatible avec les exigences des procédés de fabrication de semi-conducteurs, notamment pour les applications impliquant le silicium et le carbure de silicium (SiC), utilisés dans l’électronique de puissance et les dispositifs haute performance.
Applications industrielles
Le capteur cible principalement les applications de fabrication de semi-conducteurs, en particulier :
- le contrôle d’épaisseur en ligne des wafers de silicium et SiC
- les processus de polissage et de rodage
- les environnements de production à forte densité particulaire
- les systèmes nécessitant une intégration compacte et robuste
Édité avec l’aide de l’IA par Romila DSilva, rédactrice chez Induportals.
