Renesas présente ses chipsets DDR5-MRDIMM de 3e génération

Renesas Electronics Corporation a présenté ses solutions d'interface de mémoire de troisième génération (Gen 3) pour les modules DDR5-MRDIMM (Multiplexed Rank Dual In-Line Memory Modules). Les nouveaux composants permettent des taux de transfert allant jusqu'à 16 000 MT/s pour les applications de serveurs. L'entreprise répond ainsi au besoin croissant de bande passante mémoire accrue, généré par les centres de données d'IA modernes, les infrastructures cloud et les charges de travail accélérées par matériel. L'ensemble complet de la plateforme comprend le pilote d'horloge d'enregistrement multiplexé (MRCD, RRG5013x), le tampon de données multiplexé (MDB, RRG5103x) ainsi que des PMIC, des hubs SPD et des capteurs de température.

Amélioration des performances et compatibilité système
S'appuyant sur l'infrastructure DDR5 existante, les solutions MRDIMM de 3e génération offrent une bande passante mémoire supérieure de 25 pour cent par rapport à la génération précédente, sans nécessiter de modifications fondamentales de l'architecture système. Le chipset améliore également la transparence et la robustesse du système, notamment grâce au mode d'auto-apprentissage de l'égalisation des dispositifs (Device Equalization Self-Train Mode - DESTM) Quality Indication Status, qui permet un réglage précis de la synchronisation et des marges de signal. De plus, les composants accordent une importance particulière à l'efficacité thermique et énergétique au niveau du système. Renesas présente la plateforme au salon FMS 2026 en août à Santa Clara, en Californie.

Alliances de partenaires et importance stratégique
Dans le cadre de ce lancement, Renesas travaille en étroite collaboration avec des partenaires de premier plan pour les processeurs et les plateformes, tels qu'AMD, afin de garantir l'intégration des nouveaux modules MRDIMM dans les architectures de serveurs futures. Des représentants d'AMD et de Renesas ont souligné que les technologies de mémoire ouvertes et basées sur des normes sont cruciales pour répondre aux exigences en forte augmentation des charges de travail d'entraînement et d'inférence de l'IA. Le débit accru permet aux centres de données d'associer une évolutivité continue à une efficacité énergétique élevée.

Contexte additionnel : Spécifications techniques et environnement de marché
Le développement des technologies MRDIMM (Multiplexed Rank DIMM) constitue une étape clé dans la concurrence des mémoires haute performance pour les centres de données hyperscale. Alors que les modules DDR5-RDIMMs traditionnels atteignent leurs limites de performance en raison des taux de signalisation physiques et des contraintes de broches, les MRDIMMs utilisent un procédé de multiplexage qui s'adresse simultanément à deux rangs de mémoire et double le débit de données effectif au niveau du bus mémoire. Dans ce segment de marché, Renesas est en concurrence directe avec d'autres fabricants de semi-conducteurs d'interface de mémoire de premier plan, tels que Rambus et Montage Technology. En atteignant 16 000 MT/s, le MRDIMM Gen 3 comble l'écart de performance avec les mémoires à large bande passante spécialisées et plus coûteuses telles que HBM3e/HBM4 dans les architectures de serveurs standard, offrant ainsi aux opérateurs une option de mise à l'échelle rentable pour les clusters d'inférence d'IA à grande échelle.

Édité par Lekshman Ramdas, rédacteur d'Induportals – adapté par l'IA.

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