La technologie GaN supporte désormais 2 200 V
L'américain Power Integrations a présenté une évolution de sa technologie de nitrure de gallium (GaN), baptisée PowiGaN, qui atteint désormais une tension de tenue de 2 200 V.
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Jusqu'alors, les interrupteurs de puissance en GaN étaient principalement cantonnés aux plages de tension inférieures, laissant les applications à haute tension au carbure de silicium (SiC) ou à des assemblages en série de puces GaN de plus faible calibre. L'augmentation de la tension admissible permet d'intégrer des puces GaN directement dans des architectures de conversion à étage unique opérant sous des tensions de bus plus élevées.
Sur le plan des applications, ce niveau de tension cible l'alimentation des centres de données d'intelligence artificielle, où les topologies de distribution évoluent vers des bus de 800 VDC à 1 500 V, ainsi que les infrastructures de transport d'énergie HVDC, les onduleurs photovoltaïques, les systèmes de stockage par batterie et les réseaux bord 48 V des véhicules électriques. Le composant permet de maintenir des fréquences de découpage propres au GaN tout en étendant sa marge de sécurité face aux surtensions du réseau.
Cette démonstration succède aux déclinaisons commercialisées par l'entreprise en 1 250 V et 1 700 V, destinées à la conversion d'énergie auxiliaire et principale dans les infrastructures industrielles et informatiques.
Publié par Youssef Belgnaoui, rédacteur pour Induportals.
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