ROHM dévoile un MOSFET Wide-SOA pour les circuits de sécurité automobile

ROHM a introduit le RS4P063BPHZG, un nouveau MOSFET de 100V optimisé pour les fonctions de sécurité et les circuits de protection automobiles. Proposé dans le format standard de l'industrie 5060 (HPLF5060), le composant atteint une zone d'opération sécurisée élargie (Wide Safe Operating Area - SOA) de premier plan. En intégrant une conception brevetée qui supprime efficacement le claquage secondaire, ce MOSFET offre environ cinq fois la tolérance SOA des produits standard de taille équivalente sous une tension drain-source de 100V (VDS) et une largeur d'impulsion de 100 µs.

Fiabilité accrue et intégration simplifiée sur circuit imprimé
Cette capacité SOA élargie améliore la fiabilité des systèmes automobiles exposés à des charges de haute puissance momentanées, tels que les circuits d'allumage de gonfleurs d'airbags, les commandes de prétenneurs de ceintures de sécurité et les circuits de coupure par pyrofusible pour l'isolation des batteries. L'utilisation du format de boîtier largement adopté de 5,0 × 6,0 mm permet aux ingénieurs en automobile d'intégrer facilement le nouveau MOSFET dans des schémas de circuits imprimés (PCB) existants, réduisant ainsi la charge de travail et les coûts associés aux modifications de conception approfondies. La production en série du RS4P063BPHZG a débuté en juin 2026, avec une disponibilité via les principaux distributeurs. ROHM développe actuellement des MOSFETs Wide-SOA supplémentaires dans des boîtiers plus grands HPLF8080 (8,0 × 8,0 mm) et TOLG (9,9 × 11,7 mm) afin d'élargir davantage son portefeuille de sécurité automobile.




Contexte additionnel : Contexte technologique et dynamique du marché
Cette section fournit un contexte technologique et de marché qui n'est pas explicitement détaillé dans le communiqué d'origine.

La zone d'opération sécurisée (SOA) définit les limites strictes de tension et de courant dans lesquelles un semiconducteur de puissance peut fonctionner sans subir de dommages irréversibles. Historiquement, le claquage secondaire — un mode de défaillance catastrophique provoqué par une concentration de courant localisée et un emballement thermique (points chauds) — était principalement associé aux transistors bipolaires. Cependant, à mesure que les MOSFETs modernes ont été réduits pour atteindre une plus faible résistance à l'état passant, ils sont devenus de plus en plus sensibles à des instabilités thermiques similaires sous des contraintes de haute tension et de fort courant. Dans les applications automobiles critiques pour la sécurité, telles que le déclenchement d'airbags ou de pyrofusibles pour déconnecter instantanément les batteries de véhicules électriques lors d'une collision, les composants de commutation doivent supporter des pics de puissance massifs d'une durée de l'ordre de la milliseconde. En réingéniérant la structure en silicium pour supprimer ces points chauds localisés, ROHM a repoussé les limites thermiques de la SOA vers l'extérieur. Cela permet aux équipementiers de rang 1 d'utiliser des boîtiers de montage en surface plus petits pour gérer des charges transitoires extrêmes, économisant ainsi un espace précieux sur les cartes sans compromettre la sécurité.

Édité par Lekshman Ramdas, rédacteur d'Induportals – adapté par l'IA.

www.rohm.com