Les redresseurs optimisent l'efficacité énergétique des systèmes de puissance automobiles

Les nouveaux semi-conducteurs des gammes 2A SBRFP2M60P1Q, SBRFP2M60SAFQ, 3A SBRFP3M60SAFQ et 8A SBRFP8A60P5Q. exploitent un procédé de fabrication propriétaire et breveté de semi-conducteurs à oxyde de métal qui surmonte les limites électriques inhérentes aux diodes traditionnelles Schottky et à jonction PN. Ils sont qualifiés AEC, fabriqués dans des installations certifiées selon la norme IATF 16949 et prennent entièrement en charge la documentation du processus d'approbation des pièces de production pour un déploiement dans le secteur automobile.

Paramètres de performance et gains d'efficacité
Le modèle SBRFP8A60P5Q atteint une tension directe maximale de 0,55 V pour un courant de charge de 8 A, ce qui réduit les pertes par conduction et maintient des températures de fonctionnement plus basses lors des applications à courant élevé. Parallèlement, les références SBRFP2M60P1Q et SBRFP3M60SAFQ offrent des performances de courant de fuite inverse avec des seuils maximaux de 12 µA et 7 µA pour des températures de fonctionnement s'échelonnant de 25°C à 125°C. Ces caractéristiques électriques améliorent l'efficacité énergétique tout en atténuant le risque d'emballement thermique dans des conditions de température élevée.

Domaines d'application
Ces redresseurs font office de substituts directs pour les composants standard dans les convertisseurs continu-continu, les circuits de protection contre l'inversion de polarité, les systèmes de charge de batteries, les installations d'éclairage LED pour véhicules et les modules de commande de transmission. Les classes d'énergie d'avalanche atteignent jusqu'à 145 mJ selon le modèle spécifique. Cette capacité surpasse celle des redresseurs Schottky conventionnels d'un facteur de cinq à dix, permettant ainsi aux composants de supporter les pics de tension transitoires à haute énergie, les surtensions de décharge de charge et les perturbations électriques. Les rederesseurs conservent une fonctionnalité stable sur une plage de température de jonction opérationnelle comprise entre -55°C et +175°C.

Contexte additionnel :
Spécifications techniques et analyse comparative concurrentielle

La technologie des redresseurs à barrière super-métallique intégrée dans cette gamme de produits occupe une place stratégique sur le marché des semi-conducteurs de puissance, comblant l'écart de performance entre les diodes Schottky conventionnelles et les diodes à jonction PN en silicium. Alors que les redresseurs Schottky traditionnels procurent de faibles chutes de tension directe, ils souffrent fréquemment de courants de fuite inverse élevés à des températures de fonctionnement élevées. Les diodes PN en silicium standard offrent des caractéristiques de blocage inverse requises mais présentent des pertes par conduction directe plus importantes. L'architecture MOS brevetée à plaques de champ de la gamme SBRFP minimise ce compromis en associant des caractéristiques de tension directe réduite à un courant de fuite minimal à haute température. Évalués par rapport à des solutions de rechange Schottky standard logées dans des empreintes équivalentes PowerDI123, PowerDI5 et SMAF, les redresseurs de Diodes procurent une absorption d'énergie d'avalanche supérieure atteignant 145 mJ, atténuant ainsi la dépendance à l'égard de composants externes de suppression des tensions transitoires dans les applications automobiles.

Publié par Sucithra Mani, rédactrice pour Induportals – contenu adapté par IA.

www.diodes.com