Toshiba lance un MOSFET au carbure de silicium (SiC) 1 200 V

Le dispositif offre des pertes considérablement réduites, qui augmentent le rendement de la solution de puissance hôte.

Toshiba Electronics Europe (« Toshiba ») a lancé un MOSFET au carbure de silicium (SiC) 1 200 V pour les applications industrielles de puissance élevée, notamment les alimentations CA-CC à tension d’entrée 400 V, les onduleurs photovoltaïques (PV) et les convertisseurs CC-CC bidirectionnels destinés aux alimentations sans coupure (UPS).

Le nouveau MOSFET de puissance TW070J120B fait appel à du SiC, un matériau à bande interdite large, qui permet aux dispositifs de supporter une tension élevée, et d’assurer une commutation rapide et d’offrir une faible résistance à l'état passant, par rapport aux MOSFET classiques et aux transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) au silicium (Si). Par conséquent, ce nouveau MOSFET contribuera sensiblement à réduire la consommation et à améliorer la densité de puissance, ce qui au bout du compte permettra de réduire la taille des systèmes.

Produit à partir d'une puce Toshiba de seconde génération[1], ce nouveau MOSFET SiC offre une fiabilité renforcée. En outre, le TW070J120B présente une faible capacité d'entrée (CISS) de 1 680 pF (typique), une faible charge d'entrée au niveau de la grille (Qg) de 67 nC (typique), et une résistance drain-source à l'état passant (RDS(ON)) de seulement 70 mΩ (typique).

Par rapport à un IGBT silicium 1 200 V comme le GT40QR21 de Toshiba, ce nouveau dispositif réduit d'environ 80% les pertes de commutation, et d'environ 70% le temps de commutation (à la coupure), tout en offrant une faible tension à l'état passant et un courant de drain (ID) pouvant atteindre 20 A.

La tension de déclenchement de grille (Vth) est fixée à un niveau élevé (entre 4,2 V et 5,8 V), ce qui réduit le risque d'allumage ou d'extinction intempestive. Par ailleurs, l'intégration d'une diode à barrière de Schottky (SBD) SiC à tension directe (VDSF) de seulement -1,35 V (typique) contribue encore à réduire les pertes.

Logé en boîtier TO-3P(N), le nouveau MOSFET TW070J120B permet de concevoir des solutions de puissance à haut rendement, notamment pour les applications industrielles, où la densité de puissance accrue permet aussi de réduire la taille et le poids des équipements.

www.toshiba.semicon-storage.com

  Demander plus d’information…