onsemi lance la famille V de MOSFET SUPERFET haute performance à faibles pertes pour serveurs et applications de télécommunications

Grâce à leurs caractéristiques de commutation exceptionnelles, ces nouveaux dispositifs permettent aux alimentations de répondre aux exigences de rendement « 80 PLUS Titanium ».

Onsemi (Nasdaq : ON), un leader dans le domaine des technologies d'alimentation et de détection intelligentes, a annoncé aujourd'hui sa nouvelle famille V de MOSFET^®SUPERFET 600 V. Ces dispositifs haute performance permettent aux alimentations de répondre aux réglementations les plus exigeantes en matière de rendement énergétique, comme « 80 PLUS Titanium », en particulier dans le cas très difficile d'une charge de 10%. À l’intérieur de la famille SUPERFET V 600 V, les 3 groupes : FAST, Easy Drive, et FRET, sont optimisés pour offrir des performances de premier ordre dans différentes applications et différentes topologies.

La famille SUPERFET V 600 V offre d'excellentes caractéristiques de commutation et un faible bruit de grille, ce qui permet d'améliorer les performances en matière d'interférences électromagnétiques (EMI) - un avantage significatif pour les applications de serveurs et de systèmes télécoms. En outre, la fiabilité du système est renforcée par une diode intrinsèque robuste et une tension VGSS élevée (30 V continu).

« Afin de lutter contre le changement climatique, la certification 80 Plus Titanium exige que les serveurs et le matériel de stockage de données offrent des niveaux d'efficacité énergétique de 90% à 10% de charge, et même de 96% à 50% de charge, » déclare Asif Jakwani, Vice-Président Senior et Directeur Général de la division Energie Avancée chez onsemi. Les versions FAST, Easy Drive et FRET de notre famille SUPERFET V répondent à ces demandes, et offrent une solution robuste qui assure une fiabilité continue du système. »

Les versions FAST offrent une efficacité optimale dans les topologies de commutation difficiles (telles que les PFC haut de gamme), et sont optimisées pour réduire la charge électrique de grille (Qg) et les pertes EOSS afin de permettre une commutation rapide. Les premiers composants comprennent les NTNL041N60S5H (RDS(on) = 41 m) et NTHL185N60S5H (RDS(on) = 185 m), tous deux en boîtier TO-247. Le NTP185N60S5H est en boîtier TO-220, et le NTMT185N60S5H en boîtier Power88 de 8,0 x 8,0 x 1,0 mm qui garantit un niveau MSL 1 et dispose d’une configuration à source Kelvin pour améliorer le bruit de grille et réduire les pertes de commutation.

Les versions Easy Drive sont adaptées aux topologies de commutation dure et douce et contiennent une résistance de grille interne (Rg) ainsi qu'une capacité interne optimisée. Ils sont adaptés à l’utilisation générale dans de nombreuses applications, y compris PFC et LLC. Dans ces composants, la diode Zener intégrée entre la grille et l'électrode source pour une résistance RDS(on) supérieure à 120 m réduit la contrainte sur l'oxyde de grille, et assure une meilleure résistance aux décharges électrostatiques élevées, ce qui améliore la fiabilité de l'ensemble et réduit les défaillances sur le terrain. Deux composants sont actuellement disponibles avec des RDS(on) de 99 m et 120 m : les NTHL099N60S5 et NTHL120N60S5Z, qui se présentent tous deux en boîtier TO-247.

Les versions à récupération rapide (FRFET) sont adaptées aux topologies de commutation douce telles que le pont complet déphasé (PSFB pour Phase Shifted Full Bridge) et le LLC. Ils bénéficient d'une diode intrinsèque rapide et offrent des Qrr et Trr réduits. La robustesse de la diode renforce la fiabilité du système. Le NTP125N60S5FZ à diode Zener intégrée offre une RDS(on) de 125 men boîtier TO-220, tandis que le NTMT061N60S5F offre 61 m en boîtier Power88. Le dispositif à plus faible perte est le NTHL019N60S5F qui présente une RDS(on) de seulement 19 m en boîtier TO-247.

www.onsemi.com

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