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Toujours à la pointe de l’innovation, HTDS étend encore son offre produit en Optoélectronique et annonce la commercialisation d’une nouvelle photodiode APD ultra rapide : Photodiode APD InGaAs C30733

Une photodiode de nouvelle génération pour une détection ultra rapide des signaux optiques.

Toujours à la pointe de l’innovation, HTDS étend encore son offre produit en Optoélectronique et annonce la commercialisation d’une nouvelle photodiode APD ultra rapide : Photodiode APD InGaAs C30733

Toujours à la pointe de l’innovation en matière d’Optoélectronique, HTDS annonce la commercialisation exclusive sur le marché français de la nouvelle photodiode APD InGaAs C30733 développée par son partenaire canadien Excelitas Technologies. Cette nouvelle photodiode ultra rapide InGaAs C30733 vient compléter avantageusement l’offre produit déjà conséquente proposée par HTDS en Optoélectronique.

Particulièrement optimisée pour les applications nécessitant une détection de signaux optiques extrêmement rapide, cette nouvelle photodiode à avalanche (APD) lnGaAs rapide offre un faible bruit, un gain et une efficacité quantique élevés, et ce, dans une large gamme spectrale allant de 1000 à 1700 nm. Proposée en différents boitiers TO hermétiques, soit en espace libre, soit fibré pour un couplage optimal sur sur son diamètre actif de 30 µm.

Au final, cette combinaison remarquable fait de la nouvelle photodiode InGaAs C30733 une solution idéale pour toutes les applications et systèmes de télémétrie laser et de test et mesure télécom.


Toujours à la pointe de l’innovation, HTDS étend encore son offre produit en Optoélectronique et annonce la commercialisation d’une nouvelle photodiode APD ultra rapide : Photodiode APD InGaAs C30733

Des caractéristiques très avantageuses pour un large champ d’applications de pointe
Une photodiode à avalanche (APD) est un composant optoélectronique qui se distingue des autres détecteurs par l’effet avalanche permettant de générer un gain très important (qui peut être supérieur à 500) par rapport à une photodiode PIN. Ce gain permet de détecter des flux lumineux très faibles.

S’agissant de la nouvelle photodiode APD InGaAs C30733, celle-ci offre des caractéristiques particulièrement avantageuses :

  • Bande passante élevée (3 GHz typ.)
  • Sensibilité spectrale élevée: 0,94 A/W
  • Faible courant d'obscurité < 10nA
  • Très petite surface active (30 µm)
  • Gain élevé
  • Faible bruit (NEP max : 0.05 pW/√Hz)
  • Disponible en version fibrée (avec connecteur FC/PC
  • Conforme RoHS

Outre les domaines de la spectrophotométrie, la télémétrie laser, la microscopie confocale et la détection par fluorescence, la nouvelle photodiode InGaAs C30733 offre un large champ d’applications possibles.

Ainsi, sa plage de détection comprise entre 1000 et 1700 nm permet par exemple, de couvrir les applications de télécommunication dans la bande spectrale 1300 à 1650 nm, avec une grande précision et notamment dans les applications de réflectométrie optique (OTDR).

www.htds.fr

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