ROHM au PCIM 2022 : de nouveaux points forts sur l’électronique de puissance et des investissements dans les capacités de production de SiC

En outre, la société annoncera ses activités commerciales et stratégies européennes et mondiales, ainsi que ses plans d’investissement dans le carbure de silicium (SiC).

Une des innovations d’électronique de puissance de ROHM réside dans ses MOSFET SiC de 4e génération : elle permet de réduire jusqu’à 50 % la perte de commutation et de 40 % la résistance à l’état passant sans sacrifier la résistance aux courts-circuits. De plus, la dernière génération offre une plage de tension de grille plus flexible (de 15 à 18 V) et prend en charge l’arrêt avec zéro volt, ce qui permet d’utiliser des circuits d’entraînement de grille simples avec alimentation unipolaire.

« La demande de SiC poursuivra sa croissance, et ROHM augmentera également ses ventes. Nous allons accélérer nos efforts d’investissements et de développement de produits basés sur la technologie que nous avons cultivée en tant que fabricant leader de SiC. En outre, notre société continuera à proposer des solutions qui combinent non seulement des produits SiC, mais également des composants périphériques et un support client », déclare Kazuhide Ino, directeur général et directeur de la stratégie de ROHM Co., Ltd.

Avec l’achèvement d’un nouveau bâtiment dans son usine Apollo à Chikugo (Japon), ROHM a récemment accru ses capacités de production pour des semiconducteurs de puissance à base de SiC. « En tant que fabricant de semiconducteurs intégré verticalement, nous sommes largement indépendants des fournisseurs et pouvons réagir avec plus de flexibilité par rapport aux changements du marché. Le haut degré d’intégration de nos usines nous offre un avantage sur les autres fabricants qui sous-traitent de nombreuses étapes de production. En outre, nous déployons de grands efforts pour optimiser davantage nos chaînes d’approvisionnement, y compris notre système de production, et pour assurer un approvisionnement stable pour nos clients », dit Wolfram Harnack, président de ROHM Semiconductor Europe.

Comme la demande de wafers de semiconducteurs en carbure de silicium est appelée à poursuivre sa croissance, ROHM prévoit d’étendre ses investissements et ses capacités de production. SiCrystal, la filiale de production de ROHM située à Nuremberg (Allemagne), prévoit en outre de développer fortement ses capacités et ses effectifs. « L’objectif intermédiaire de SiCrystal est d’atteindre des ventes à neuf chiffres en produisant plusieurs centaines de milliers de substrats par an », dit Robert Eckstein, président-directeur général de SiCrystal.

Isao Matsumoto, président et PDG de ROHM Co., Ltd., est satisfait des réalisations globales du groupe ROHM et envisage l’avenir avec optimisme : « Nous avons été en mesure d’atteindre des ventes record au cours du dernier exercice et nous nous attendons à poursuivre notre solide performance au cours de l’exercice en cours. Par conséquent, nous avons révisé le plan de gestion à moyen terme à la hausse et plus tôt que prévu. Parmi les marchés mondiaux, nous identifions l’Europe comme un marché prioritaire sur lequel se concentrer, avec de nombreuses entreprises à la pointe de l’innovation technologique dans les équipements automobiles et industriels. De même, ROHM continuera à fournir les clients avec des solutions basées sur les produits d’électronique de puissance et analogiques, qui sont les spécialités de ROHM », conclut Isao Matsumoto, président et PDG de ROHM Co., Ltd.

www.rohm.com