Innoscience et Silanna Semiconductor annoncent une conception de référence flyback à pince active 65 W, avec une densité de puissance de 30 W/in3 (1,8 W/cm3)

Le plus grand fabricant mondial de dispositifs GaN-on-Si en 8 pouces s'associe à un leader en matière de densité de puissance et de rendement, pour proposer une conception d’alimentation USB-PD d’avant-garde.

Innoscience Technology, une société fondée pour créer un écosystème énergétique mondial basé sur des solutions de puissance au nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Si) à la fois performantes et économiques, et Silanna Semiconductor, une entreprise de San Diego, en Californie, qui propose des technologies permettant d'obtenir la meilleure densité de puissance et la meilleure efficacité énergétique de la catégorie, ont présenté la semaine dernière une conception de référence flyback à pince active (AFC) 65 W, offrant une densité de puissance de 30 W/in3 (1.8 W/cm3) hors boîtier, à l’occasion du salon PCIM à Nüremberg, en Allemagne. Cette conception permet d'atteindre des rendements supérieurs à 94% sous 230 V alternatif, et présente une consommation à vide inférieure à 25 mW.

Cette conception combine les performances de pointe du transistor de puissance 650 V GaN-sur Si e-mode, INN650D240A, d'Innoscience, et celles du contrôleur ACF (Active Clamp Flyback) tout intégré SZ1131, de Silanna. Le HEMT GaN autorise une fréquence de commutation très élevée, ne génère pas de charge de récupération inverse, et se caractérise par une faible charge de grille et une faible charge en sortie. La RDS(on) maximum est de 240 mΩ. Le CO2 Smart Power™ SZ1131 de Silanna combine l'intégration et l'efficacité énergétique les plus élevées du marché (95%), et une consommation à vide ultra-faible, sous les 20 mW.

La conception de référence 65 W tient sur un circuit imprimé de seulement 34 x 34,5 x 30,5 mm. La plage de tension d'entrée s’étend de 90 à 265 VCA et les configurations de sortie USB-PD sont 5 V/3 A, 9 V/3 A, 15 V/3 A et 20 V/3,25 A. Innoscience et Silanna Semiconductor collaborent également sur des conceptions de référence multiports de puissance supérieure, qui seront présentées prochainement.

Le SZ1131, dernier né de la famille CO2 Smart Power™ de Silanna, répond à l'ultime défi de gestion d'alimentation auquel sont confrontés les ingénieurs, en simplifiant la conception et en améliorant les performances, tout en répondant aux objectifs de durabilité environnementale grâce à une utilisation plus efficiente de l'énergie.

Yi Sun, Directeur Général d’Innoscience America commente : « En permettant des fréquences de commutation plus élevées, des rendements améliorés et des composants plus petits, la topologie ACF répond aux demandes de gain de performance et de réduction de consommation d'énergie, tout en minimisant la taille et le poids de l'alimentation. Les CI de contrôle de Silanna et les FET GaN d'Innoscience, qui sont robustes, fiables, et faciles à intégrer par les concepteurs, correspondent parfaitement à cette application. »

Ahsan Zaman, Directeur Marketing Produit CA/CC chez Silanna Semiconductor, ajoute : « Notre objectif, avec notre technologie de circuits intégrés CO2 Smart Power™, est d’œuvrer pour la planète et sa population en offrant la meilleure densité de puissance et le meilleur rendement de la catégorie, afin de réduire la consommation d'énergie. Pour y parvenir, nous accueillons volontiers les partenariats et les initiatives avec des entreprises partageant nos idées, comme Innoscience, dont les produits complètent parfaitement les nôtres. »

Disponibilité :
De plus amples informations sur cette conception de référence et son rapport de test complet seront disponibles sur https://powerdensity.com/reference-design en juin 2022. Les demandes d'échantillons doivent être adressées directement à Silanna (This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.).

www.innoscience.com

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