Toshiba lance un petit photo-relais pour la commutation de signaux à haute fréquence

Le nouveau dispositif réduit la perte d'insertion et améliore la transmission du signal à haute fréquence.

Toshiba Electronics Europe GmbH a lancé son premier MOSFET canal N à drain commun de 30 V. Le nouveau composant SSM10N961L offre un fonctionnement à faible perte et est spécifiquement conçu pour être utilisé dans les appareils dotés d'interfaces USB. De plus, il peut être utilisé pour protéger les batteries dans les applications mobiles.

Avec l'omniprésence des interfaces USB, de nombreux composants et dispositifs ont été développés pour prendre en charge les normes USB. La norme USB Power Delivery (USB PD) supporte des niveaux de puissance plus élevés de 15 W (5 V/3 A) à un maximum de 240 W (48 V/5 A) et permet d'intervertir l'alimentation et la réception. Cela nécessite que les dispositifs dotés d'un chargement USB prennent en charge l'alimentation bidirectionnelle et c'est pour ce cas d'utilisation que le nouveau MOSFET à drain commun et canal N SSM10N961L a été conçu.

Jusqu'à présent, les MOSFET à drain commun et canal N de Toshiba étaient des produits 12 V principalement destinés à la protection des batteries lithium-ion (Li-ion) dans les smartphones. Le nouveau produit 30 V peut être utilisé pour des applications nécessitant des tensions supérieures à 12 V, telles que la commutation de charge pour les lignes électriques des dispositifs de chargement USB et la protection des batteries Li-ion pour les appareils alimentés par batterie.

Le SSM10N961L combine deux canaux N dans une configuration à drain commun, ce qui permet un fonctionnement bidirectionnel. La tension de claquage source-source (V(BR)SSS) est de 30 V pour une utilisation dans des applications à tension plus élevée telles que celles trouvées dans les ordinateurs portables et les tablettes. Pour réduire les pertes dans toutes les applications, la résistance à l’état passant source-source (RSS(ON)) est typiquement de 9,9 mΩ.

Lorsqu'il est monté sur un plot en cuivre (Cu) de 18 µm et 407 mm2, le courant nominal du composant est de 9,0 A. Si la taille et l'épaisseur du plot sont augmentées à 70 µm et 687,5 mm2, le courant nominal passe à 14,0 A.

Malgré la capacité de gestion de la puissance du SSM10N961L, le composant est logé dans un petit boîtier mince (TCSPAG-341501) mesurant seulement 3,37 mm × 1,47 mm x 0,11 mm, ce qui permet de développer des solutions très compactes.

En combinant le nouveau composant avec un circuit intégré pilote TCK42xG, il est possible de former un circuit de commutation de charge avec une fonction de prévention du reflux ou un circuit multiplexeur de puissance qui peut commuter les opérations entre Make-Before-Break (MBB) et Break-Before-Make (BBM). ).

Toshiba a délivré un circuit multiplexeur de puissance servant de conception de référence basée sur cette combinaison de produits. Le fonctionnement du circuit a été vérifié par Toshiba, ce qui donne aux concepteurs l'assurance qu'il simplifiera le processus de conception et réduira les délais de développement.

Pour plus de détails, veuillez visiter le site Web de Toshiba 

www.global.toshiba.com

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