onsemi dévoile une solution d'alimentation complète pour améliorer l'efficacité énergétique des centres de données
Les nouveaux semiconducteurs de puissance, apportent une réduction considérable de la consommation énergétique, cette réduction pouvant atteindre jusqu’à 10 TeraWatts (TW).
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Alors que les data centers deviennent de plus en plus énergivores en raison du besoin croissant de capacités de calcul pour traiter les charges de travail de l’intelligence artificielle (IA), améliorer l'efficacité énergétique des data centers devient primordial. La combinaison des produits de dernière génération T10 PowerTrench® et EliteSiC 650V MOSFETs d’onsemi se présente comme une solution qui offre un rendement inégalée et des performances thermiques supérieures avec une empreinte carbone réduite pour les applications de data centers.
Une requête assistée par l’IA exige dix fois plus de puissance qu’une requête classique sur un moteur de recherche. Par conséquent, la consommation énergétique des data centers est la première impactée et devrait atteindre 1000 TWh (TerraWatt par heure) dans le monde d’ici deux ans1.
Pour traiter une requête assistée par l’IA, l’énergie est convertie en quatre étapes entre le réseau et le processeur, ce qui provoque une perte d’énergie d’environ 12%. Grâce à la gamme T10 PowerTrench et la solution EliteSiC 650V, les data centers sont en mesure de réduire leurs consommations énergétiques de 1%. Appliquées à l’ensemble des data centers, cette approche réduirait de 10 TWh la consommation d’énergie annuelle, soit l’équivalent de l’énergie nécessaire pour alimenter un million de maison par an2.
Le transistor MOSFET EliteSiC 650V fournit des performances de commutation supérieures et ses capacités parasites sont plus faibles, améliorant ainsi le rendement global des data centers et des systèmes de stockage d'énergie. Comparés à la génération précédente, les nouveaux MOSFET en carbure de silicium (SiC) ont réduit de moitié la charge de grille et diminué de 44% l'énergie stockée dans la capacitance de sortie (Eoss) et la charge de sortie (Qoss).
L'absence de courant de trainage à l'arrêt et les performances supérieures obtenues à des températures élevées permettent de réduire considérablement les pertes de commutation par rapport aux MOSFET superjonction (SJ). Cela permet aux clients de réduire la taille des composants de leur système tout en augmentant la fréquence de découpage.
La gamme T10 PowerTrench est capable de gérer des courants élevés tout en offrant une densité de puissance accrue et des performances thermiques supérieures. Cela représente un point essentiel pour les étages de conversion de puissance DC-DC. Ces performances sont obtenues grâce à la structure dite « Shielded Trench Gate ».
Qui est permet d’obtenir d’une charge de grille très faible et d’une résistance inférieure à 1 milliohm. De plus, la diode de structure ayant un recouvrement inverse plutôt lent et de faible amplitude minimisent efficacement les oscillations, les surtensions et le bruit électromagnétique pour garantir des performances, une fiabilité et une robustesse optimales dans tous les cas de fonctionnement. La gamme T10 PowerTrench est également disponible pour les applications automobiles avec une qualification spécifique.
La solution proposée répond à la spécification stricte Open Rack V3 (ORV3) exigée par les opérateurs internet pour prendre en charge la prochaine génération de processeurs haute performance.
« L'IA et l'électrification refaçonnent notre monde et font exploser la demande d'énergie. Innover dans les semi-conducteurs de puissance et trouver des solutions moins énergivores est essentiel pour suivre ces tendances globales et technologiques. C'est la seule manière d’anticiper l'avenir des data centers de manière responsable et durable. », a déclaré Simon Keeton, président du groupe Power Solutions Group d'onsemi. « Notre dernière solution peut significativement atténuer les pertes de puissance causées par le processus de conversion de l'énergie et profondément impacter la prochaine génération de data centers. »
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