Onsemi dévoile des modules IGBT de 7e génération pour les énergies renouvelables
Les nouveaux modules à base de la 7e génération de transistors bipolaires à porte isolée d’onsemi 1200V QDual3 délivrent une densité de puissance plus élevée et fournissent une alimentation électrique supérieure de 10%.
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Doté de la dernière technologie IGBT Field Stop 7 (FS7), le module QDual3 de 800 ampères (A) offre des performances de premier plan afin de réduire les coûts des systèmes et de simplifier les conceptions.
Dans un onduleur de 150 kW, le module QDual3 perdra 200 watts (W) en moins d’énergie par rapport à son concurrent le plus proche, ce qui diminue considérablement la dissipation de la chaleur. Le QDual3 est conçu pour fonctionner sous des conditions difficiles, ce qui le rend parfaitement adapté aux convertisseurs électroniques de haute puissance, comme les onduleurs centraux des parcs solaires, les systèmes de stockage d'énergie (ESS), les véhicules agricoles utilitaires (CAV) et les commandes de moteurs industriels.
La production grandissante d’énergie renouvelable nécessite des structures capables de traiter les pics de demande d’énergie et d'assurer en continue une alimentation électrique. L'écrêtement des pointes, qui consiste à réduire la consommation d'électricité pendant les pics de demande d’électricité, est essentiel pour garantir la stabilité du réseau électrique et minimiser les coûts.
En utilisant les modules QDual3, les fabricants peuvent construire un onduleur solaire et des systèmes ESS plus performants sans modifier la taille du réseau. Ce qui améliore la gestion de l'énergie et augmente les capacités de stockage, au travers d’une intégration plus harmonieuse de l'énergie solaire au réseau. Les modules atténuent la variabilité des flux d’énergie solaire en stockant l'énergie excédentaire, ce qui garantit un flux d'énergie constant.
Pour les grands systèmes, les modules peuvent être mis en parallèle pour augmenter la puissance de sortie jusqu'à plusieurs MW. Par rapport aux modules traditionnels de 600 A, le QDual3 de 800 A réduit considérablement la quantité de modules nécessaires, ce qui simplifie grandement la conception et réduit les coûts du système.
Les IGBT QDual3 d’onsemi présentent une configuration en demi-pont de 800 A qui intègre la dernière technologie d'IGBT et de diode Gen7 trench Field Stop en utilisant les techniques de packaging avancées pour réduire les pertes de commutation et de conduction.
Grâce à la technologie FS7, la taille de de la puce est réduite de 30 %, ce qui permet d'avoir plus de puces par module et d'augmenter la densité de puissance. Ce fonctionnement produit un débit d’électricité de 800 A ou plus. Doté d’un IGBT Vce(sat) minimal de 1,75V (175°C) et un faible Eoff, le module QDual3 de 800 A produit 10% de pertes d'énergie en moins. Les modules répondent également aux normes strictes requises pour une application automobile.
« L'électrification croissante des flottes automobiles, comme les camions, les bus et le besoin de sources d'énergie renouvelables exigent des solutions qui peuvent générer, stocker et distribuer l'énergie de manière plus efficace. Transférer l'énergie renouvelable vers le réseau d’alimentation électrique et les systèmes de stockage, le courant vers les consommateurs en ava, tout en minimisant les pertes d’énergie est de plus en plus complexe », a déclaré Sravan Vanaparthy, Vice-Président de la division Industrial Power, Power Solutions Group d’onsemi. « Avec son brochage standard et sa haute performance, les module QDual3 offrent aux concepteurs d’électronique des modules prêt à l’emploi et augmentent immédiatement les performances de leurs systèmes. »
Plus d’informations:
- Page produit : NXH800H120L7QDSG, SNXH800H120L7QDSG
- Fiche produit: NXH800H120L7QDSG, SNXH800H120LQDSG.
