KIOXIA et Sandisk présentent une technologie de mémoire flash 3D de nouvelle génération atteignant une vitesse d’interface NAND de 4,8 Go/s
Les deux entreprises présentent en avant-première une technologie de mémoire flash 3D de 10e génération, établissant une nouvelle référence en matière de performances, d’efficacité énergétique et de densité de bits.
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KIOXIA Corporation et Sandisk Corporation ont lancé une technologie de mémoire flash 3D de pointe, établissant la référence de l’industrie avec une vitesse d’interface NAND de 4,8 Gbit/s, une efficacité énergétique supérieure et une densité élevée.
Dévoilée à l’ISSCC 2025, la nouvelle innovation en matière de mémoire flash 3D, associée à la technologie révolutionnaire CBA (CMOS directly Bonded to Array) de la société, intègre l’une des dernières normes d’interface, Toggle DDR6.0 de la mémoire flash NAND, et exploite le protocole SCA (Separate Command Address), la nouvelle méthode de saisie d’adresses de commande de son interface, et la technologie PI-LTT (Power Isolated Low-Tapped Termination), qui est essentielle pour réduire davantage la consommation d’énergie.
En exploitant cette technologie haut débit unique, les entreprises espèrent que la nouvelle mémoire flash 3D améliorera de 33 % la vitesse de l’interface NAND par rapport à leur mémoire flash 3D de 8e génération actuellement en production de masse, atteignant une vitesse d’interface de 4,8 Go/s. La technologie permet également d’améliorer l’efficacité énergétique des entrées/sorties de données, réduisant la consommation d’énergie de 10 % pour l’entrée et de 34 % pour la sortie, trouvant ainsi un équilibre entre hautes performances et faible consommation d’énergie.
Lors de la présentation en avant-première de la mémoire flash 3D de 10e génération, les entreprises ont précisé qu’en élevant le nombre de couches de mémoire à 332 et qu’en optimisant le plan d’implantation pour accroître la densité planaire, la technologie améliore la densité de bits de 59 %.
« En plus de la nécessité d’augmenter l’efficacité énergétique dans les centres de données, une hausse considérable de la production de données devrait être notée sous l’impulsion des nouvelles applications basées sur la technologie de l’IA, à travers des opérations sophistiquées telles que l’inférence à la périphérie et l’application de techniques d’apprentissage par transfert qui renforcent les exigences en matière de stockage. », déclare Axel Stoermann, vice-président et directeur de la technologie chez KIOXIA Europe GmbH. « KIOXIA continue de jeter les bases en répondant à ces exigences de stockage de demain : plus de vitesses, de capacité et une consommation d’énergie inférieure. »
Alper Ilkbahar, vice-président directeur de la stratégie mondiale et de la technologie chez Sandisk, a déclaré : « À mesure que l’IA progresse, les besoins des clients en matière de mémoire se diversifient de plus en plus. À travers l’innovation technologique CBA, notre objectif est de lancer des produits offrant le meilleur mélange en termes de capacité, de vitesse, de performance et d’efficacité du capital pour répondre aux besoins de nos clients dans divers segments de marché.
KIOXIA et Sandisk ont également partagé leurs plans pour la prochaine mémoire flash 3D de 9e génération. Leur technologie CBA unique permet aux deux entreprises de combiner la nouvelle technologie CMOS avec une technologie de cellule de mémoire existante pour fournir des produits rentables, performants et à faible consommation. Les deux entreprises sont déterminées à développer des technologies de mémoire flash de pointe, à offrir des solutions sur mesure pour répondre aux besoins des clients et faire avancer la société numérique.
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